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《IC的封装类型
IC的封装类型世界经理人管家)q RU|v/a VT p5Q,NU
2w|w?w0
PDID:Plastic Dual Inline Package
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SOP:Small Outline Package
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SOJ:Small Outline J-Lead Package
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PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier世界经理人管家 X^ Ikf:Y*]@aV\?
QFPQuad Flat Package
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PGA:Pin Grid Array世界经理人管家gRn9e/r0[
BGABall Grid Array世界经理人管家sg\d7E^*vz
PDIP、PGA,另一种是贴附在电路板表面的焊垫上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。世界经理人管家/[-Z)K~*C^\4z
EPROM组件,从上方的玻璃窗可看到内部的芯片,图三是以显微镜将内部的芯片放大,可以看到芯片以多条焊线连接四周的接脚,这些接脚向外延伸并穿出胶体,成为芯片与外界通讯的道路。请注意图三中有一条焊线从中断裂,那是使用不当引发过电流而烧毁,致使芯片失去功能,这也是一般芯片遭到损毁而失效的原因之一。世界经理人管家(j jyvl0~
LED,也就是发光二极管,其内部也是一颗芯片,图五是以显微镜正视LED的顶端,可从透明的胶体中隐约的看到一片方型的芯片及一条金色的焊线,若以LED二支接脚的极性来做分别,芯片是贴附在负极的脚上,经由焊线连接正极的脚。当LED通过正向电流时,芯片会发光而使LED发亮,如图六所示。
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?半导体组件的制作分成两段的制造程序,前一段是先制造组件的核心─芯片,称为晶圆制造;后一段是将晶片加以封装成最后产品,称为IC封装制程,又可细分成晶圆切割、黏晶、焊线、封胶、印字、剪切成型等加工步骤,在本章节中将简介这两段的制造程序。
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CRYSTAL GROWTH):
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???长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅,制造过程是将硅石(Silica)或硅酸盐?(Silicate)?如同冶金一样,放入炉中熔解提炼,形成冶金级硅。冶金级硅中尚含有杂质,接下来用分馏及还原的方法将其纯化,形成电子级硅。虽然电子级硅所含的硅的纯度很高,可达99.9999 99999 %,但是结晶方式杂乱,又称为多晶硅,必需重排成单晶结构,因此将电子级硅置入坩埚内加温融化,先将温度降低至一设定点,再以一块单晶硅为晶种,置入坩埚内,让融化的硅沾附在晶种上,再将晶种以边拉边旋转方式抽离坩埚,而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝,形成与晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升,沾附的硅愈多,并且被拉引成表面粗糙的圆柱状结晶棒。拉引及旋转的速度愈慢则沾附的硅结晶时间愈久,结晶棒的直径愈大,反之则愈小。世界经理人管家7`)_Z3Z(F5^#o
??(摘自中德公司目录)为中德电子材料公司制作的晶棒(长度达一公尺,重量超过一百公斤)。世界经理人管家+Em~MZc9F,R.TN+R5i
SLICING):世界经理人管家/z$Lq)H%nZ7U ~*D1I
(Wafer) (摘自中德公司目录)。????世界经理人管家 I)l_7S`6Z
?EDGE-GRINDING):
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将片状晶圆的圆周边缘以磨具研磨成光滑的圆弧形,如此可(1)防止边缘崩裂,(2)防止在后续的制程中产生热应力集中,(3)增加未来制程中铺设光阻层或磊晶层的平坦度。
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(4)研磨(LAPPING)与蚀刻(ETCHING):
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由于受过机械的切削,晶圚表面粗糙,凹凸不平,及沾附切屑或污渍,因此先以化学溶液(HF/HNO3)蚀刻(Etching),去除部分切削痕迹,再经去离子纯水冲洗吹干后,进行表面研磨抛光,使晶圆像镜面样平滑,以利后续制程。研磨抛光是机械与化学加工同时进行,机械加工是将晶圆放置在研磨机内,将加工面压贴在研磨垫(Polishing Pad)磨擦,并同时滴入具腐蚀性的化学溶剂当研磨液,让磨削与腐蚀同时产生。研磨后的晶圆需用化学溶剂清除表面残留的金属碎屑或有机杂质,再以去离子纯水冲洗吹干,准备进入植入电路制程。
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