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第四章 晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路 信息工程学院 李薇薇 liweiwei@hebut.edu.cn 4.1 一般的TTL与非门 4.1.1 标准TTL与非门（四管单元） 特点： 输入级——多发射极晶体管，在电路的截止瞬态（由输出低电平转向高电平时），Q1管可反抽Q 2管基区中的过剩少子，使电路的平均传输延迟时间下降，从而提高了电路的工作速度。 输出级——采用图腾柱结构(Q3—D和Q5轮流导通)，使电路的功耗下降。 版图设计上，可以把Q5和D设计成一个复合管，共用一个隔离岛。 一、简易TTL与非门存在的问题 1、电路输入端抗干扰能力太小它的低电平噪声容限VNML。只有0.2～0.3V，噪声稍微大一点，电路逻辑功能就要错乱。 2、电路输出端负载能力太弱，它的扇出N0大约为2到3。这是因为它的输出管基极驱动电流太小，虽然可以减小R1以增大IB2，但R1减小后，IIL也将增大，负载能力并不能得到明显的改善．而且电阻减小后，电路功耗还将增加。 3、由于多射极管的反抽作用，电路截止延迟时间有了改善，但因IB2太小，电路导通延迟时间改善不大。 总结：虽然它不能作为单块电路使用，但它线路简单，所占版图面积小，在TTL中大规模集成电路中有着重要应用。 二、四管单元的优势 1、电路抗干扰能力增强 因为在Q1、Q5之间增加的Q2管，它的发射结相当于一个起电平位移作用的二极管，它使电路低电平噪声容限VNML提高了一个结压降。 2、电路负载能力增强 （1）Q2管的作用，它把Q1管的基流先放大再驱动输出管Q5 （2）有源负载的作用。因为Q5和Q3构成推挽输出(又称图腾柱输出)： 电路导通时：V0为低，Q5导通，Q3截止； 电路截止时，V0为高，Q5截止，电源通过R5和导通的Q3驱动负载。 （3）Q5基极驱动电路增大了，电路的导通延迟得到了改善。 3、二极管D的作用 电路导通时：Q2，Q5饱和，输出V0＝VOL，这时Q2的集电极和输出之间的电位差为 这使Q3和D不能同时导通，所以D是一个电平位移二极管，确保Q2，Q5饱和时，Q3截止。 4.1.2 54H/74H五管单元与非门 四管单元的劣势 输出端从低电平向高电乎转换的瞬间，从电源经R5，Q3，D到Q5有瞬态大电流流过，因而在二极管D的PN结有大量的存储电荷，由于在线路上没有泄放回路，这些电荷只能靠管子本身的复合而消失，这必将影响到电路的开关速度。 五管单元可以提高电路的速度和增强电路的负载能力 1、采用达林顿管作为高电平输出级。 2、电路中各个电阻的阻值比四管单元电路的电阻阻值小，所以工作电流增大，使tpd下降。 总结：无论是四管单元还是五管单元，Q5的基极回路由电阻R3构成，由于R3的存在给电路的特性带来了两方面的问题（1）电路的抗干扰能力较差 （2） 对提高电路速度不利 在电路截止瞬态，R3提供了Q5管存贮电荷的泄放通路，加速了截止过程。但在导通瞬态，它分走了部分Q5管的基极驱动电流，使下降时间延长；因而从改善电路的瞬态特性考虑，希望Q5管的基极泄放回路是个有源网络，它的等效阻抗是可变的。在截止瞬态它呈现低阻；在导通瞬态，它表现为高阻。 Vi0.6V时，VB20.7V，Q2，Q5截止，输出高电平，对应曲线上的AB段； Vi≥0.6V时，Q2开始导通，VC2下降，V0跟随VC2的下降线性下降，对应线段BC，BC斜率为1.3V≤Vi≤1.4V时，Q5导通并达到饱和，输出电平下降很快，直到低电平VOL对应曲线上CDE段， Vi≥1.4V后，输出为低电平。 由于存在BC段电路的低电平噪声容限降低了，用一个管子来代替R3，Vi必须≥1.3V时，Q2Q5才能同时导通，这就避免了传输曲线上的BC段，R3的存在，分走了部分Q5的基极驱动电流，使下降时间延长。 上述的四管单元与非门电路，在输出端从低电平向高电平转换的瞬间，从电源经R5，Q3，D到Q5有瞬态大电流流过，因而在二极管D的PN结有大量的存储电荷，由于在线路上没有泄故回路，这些电荷只能靠管子本身的复合而消失，这必将影响到电路的开关速度。 在上述的四管单元和五管单元与非门电路中，输出管Q5的基极回路由电阻R3构成。 当输入电压Vi＞0.55V时，Q2管开始导通，VC2开始下降，而此时Q5管尚未导通，由于电压传输特性曲线上出现了线性区BC段，使电路的抗干扰能力下降。 在电路导通的瞬态，由于R3的存在，分走了部分Q5管的基极驱动电流，使下降时间延长。 为了解决这些问题，在六管单元与非门电路中，用RB，RC，Q6泄放网络代替R3。 由于RB的存在，使Q6管比Q5管晚导通，所以Q2管的发射极电流IE2全部灌人Q5管的基极，使Q2管和Q5管几乎同时导通，改善了电压传输特性的矩形性提高了电路的抗干扰能力； 当Q5管导通饱和后，Q6管也逐渐导通并进入