电力电子复习提纲(2010年).docVIP

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电力电子复习提纲(2010年)

第一章 绪论 1、基本知识点 (1)电力电子技术定义:变换和控制 (2)电力电子技术两个分支:器件制造技术和变流技术 (3)四种基本的电能变换电路:AC→DC、DC→AC、AC→AC、DC→DC (4)电力电子技术学科背景:信息电子学、电气工程和控制理论交叉形成的新兴学科 (5)电力电子技术发展:半控器件(晶闸管)→普通全控器件(门极可关断晶闸管、大功率晶体管、电力金属氧化物半导体场效应晶体管)→复合器件(绝缘栅双极性晶体管)→模块化、集成化、智能化 (6)与信息电子器件相比较,电力电子器件的特点:功率大、工作在开关状态、需驱动电路、损耗大需加散热(通态损耗、断态损耗、开通损耗、关断损耗)。 ()电力电子器件的分类: ①据被控程度:不可控、半控、全控 ②据驱动信号性质:电压驱动、电流驱动 ③据内部载流子参与导电情况:单极型、双极型和复合型 ()电力电子装置和系统组成:控制驱动主电路 ①电气隔离:光或磁 ②保护电路:过电压和过电流 ()电力电子电路的控制方式:相控、斩控、频控 第二章 电力电子器件 1、复习方法 (1)器件电气符号 (2)工作原理 (3)基本特性:静态+动态 (4)主要参数 (5)主要特点 2、基本知识点 (1)主要电力电子器件的电气符号,按照三种分类方法各属于哪一种: ①Power Diode ②Thyristor(SCR) ③GTO ④GTR ⑤Power MOSFET ⑥IGBT (2)各器件的主要特点: ①Power Diode:单向导电性 ②Thyristor(SCR):半控型,目前主要的电力电子器件中容量最大的 ③GTO:晶闸管的派生器件,全控,关断时需要从门极抽取很大的电流才能使之关断,在全控型电力电子器件中容量最大 ④GTR:二次击穿,安全工作区 ⑤Power MOSFET:主要电力电子器件中开关速度最快的, ⑥IGBT:结合GTR和Power MOSFET的优点,但开关速度比Power MOSFET低,容量比GTR小,擎住效应(自锁效应),MOSFET作为输入级 (3)◆电导调制效应:当PN结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因而管压降随正向电流的上升而增加;当PN结流过的正向电流较大时,注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大,为了维持半导体的电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使得其电阻率明显下降,也就是电导率大大增加,这就是电导调制效应。 (4)根据反向恢复时间二极管分为:普通二极管(General Purpose Diode)、快恢复二极管(Fast Recovery Diode—— FRD)、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode——SBD) (5)晶闸管 ①导通的条件和关断的方法 ②导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿 ③晶闸管的关断时间包括反向阻断恢复时间()和正向阻断恢复时间(),在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通 ④通常取晶闸管的和中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时,额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2—3倍。 ⑤维持电流——由导通转为关断。擎住电流 ——由关断转为导通。对同一晶闸管来说,通常约为的2—4倍 ⑥◆动态参数: A、断态电压临界上升率——指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。防止晶闸管误导通 B、通态电流临界上升率 ——指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。防止晶闸管门极热损坏 ⑦晶闸管的派生器件:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。 (6)GTO与普通晶闸管的不同点 (7)GTR工作在开关状态是在截止区和饱和区之间进行来回转换,中间经过放大区; Power MOSFET工作在开关状态是在截止区和非饱和区之间进行来回转换,中间经过饱和区; IGBT工作在开关状态是在正向阻断区和饱和区之间进行来回转换,中间经过有源区; (8)Power MOSFET ①使用时注意寄生二极管的影响 ②通态电阻具有正的温度系数,对并联时均流有利 (9)IGBT ①IGBT的特性和参数特点 ②◆擎住效应或自锁效应:在IGBT内部寄生着一个晶体管和作为主开关器件的晶体管组成寄生晶闸管。其中晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻,形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降,相当于对结施加正偏压,一旦开通,栅极就会失去对集电极电流的控制作用导致集电极电流增大,造成器件功耗过高而损坏。这种电流失控的现象,就像普通晶闸管被触发以后,即使撤销触发信号晶闸管仍然因进入正反馈而维持导通的机理一样,因此被称为擎住效应或自锁效

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