第10章 半导体器件.pptVIP

一、电子技术的发展 电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！ 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 第1章 半导体器件 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN 结与二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管 1.1.2 杂质半导体 　在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体。根据掺杂的不同，杂质半导体分为： 　N型半导体：在纯净半导体中掺入微量的五价元素（如磷、砷）后形成． 　P型半导体：在纯净半导体中掺入微量的三价元素（如硼）后形成。 N型半导体 P 型半导体 思考： N型半导体中的自由电子多于空穴 P型半导体中的空穴多于自由电子 是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？ PN 结具有单向导电性 二极管的组成 一、二极管的组成 二极管导通电路 限幅电路 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。书例1.2 稳压二极管的主要参数 发光二极管、光电二极管、光电耦合器 1.发光二极管：有正向电流流过时，发出一定波长范围的光。 2.光电二极管：光照增强时，外加反偏压作用下，反向电流增加。 3.光电耦合器：如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电耦合器件。 §1.3 半导体三极管 基本结构 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 主要参数 1. 电流放大系数有，? 练习1： 测得某放大电路中三极管的三个电极A,B,C的对地电位分别为VA=-9V,VB=-6V,VC=-6.2V,试分析A、B、C中那个是基极b，发射极e，集电极c，并说明此三极管是NPN管还是PNP管，硅管还是禇管。 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 光电二极管 发光二极管 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 半导体三极管图片 半导体三极管图片 半导体三极管的类型 NPN（硅管多） PNP（锗管多） B E C IB IE IC B E C IB IE IC 注意：三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,即发射极电流的实际方向。 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB UBE0 UBC0 B E C P P N EB RB EC RC UBE0 UBC0 VCVBVE VEVBVC IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 B E C N N P E