集成电路工艺期末.docxVIP

第一章 绪论集成电路电阻的结构：金属膜电阻、掺杂的多晶硅电阻、杂质扩散到衬底的特定区域电阻。（P3）集成电路的电容结构：（平面型电容）金属膜电容、掺杂的多晶硅电容、杂质扩散到衬底的特定区域电容。（P4）半导体集成电路制造：硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件的封装。（P11）图1-20发展：a没有集成电路（分立元器件）b小规模集成电路（SSI）c中规模集成电路（MSI）d大规模集成电路（LSI）e超大规模集成电路（VLSI）f甚大规模集成电路（ULSI）P13最常见半导体材料：硅 锗P15图1-24（是非题）多晶硅转换成单晶硅：直拉法和区熔法（直拉法：生长单晶硅是将熔化了的半导体多晶硅变成有正确晶向并被掺杂成N型或P型的固体硅淀。P17）硅片杂质含量低于百万分之几、十亿分之几（ppb）和万亿分之几（ppt）P20所有的气体都要求有极高的纯度，通用气体纯度要控制在99.99999%（7个9）以上，特种气体在99.99%（4个9）以上。P21等离子体（电浆）：被电离后的气体，即以离子态形式存在的气体（正离子和负离子组成的复合物）固液气之后的第四态P22半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略推算法则:颗粒必须小于最小的特征尺寸的一半，大于这个尺寸就会造成致命缺陷P23表1-8 空气悬浮颗粒级数越低越好(是非题P24净化间沾污5大类型：颗粒、金属杂质、有机物沾污、自然氧化层