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《微电子技术综合实践》
设计报告
题目: n阱CMOS芯片的设计
院系: 自动化与信息工程学院
专业班级:
学生学号:
学生姓名:
指导教师姓名: 职称:
起止时间: 2014.6.23---2014.7.4
成绩:
目 录
设计指标要求..........................................................................................2
1.任务.........................................................................................................2
2.特性指标要求.........................................................................................2
3.结构参数参考值.....................................................................................2
4设计内容.................................................................................................2
MOS器件特性分析................ ................................................................3
1.NMOS的参数设计与计算 .................................................................3
2.PMOS的参数设计与计算.... ...............................................................4
工艺流程分析......................................................................... ................5
1.工艺流程框图.......................................................................................5
2具体工艺流程分析...............................................................................5
掺杂工艺参数计算.................................................................................14
1.形成N阱的工艺参数计算.................................................................14
2.NMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件......................................15
3.PMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件.......................................16
4.氧化层厚度的计算及验证...................................................................17
5.生长多晶硅栅膜...................................................................................18
6.生长
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