电子化学品性能要求及生产技术..doc

电子化学品性能要求及生产技术 电子化学品的质量规格及标准 电子化学品的质量标准的演变 为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体设备和材料协会）于1975年成立了SEMI化学试剂标准化委员会，专门制定、规范超净高纯试剂的国际统一标准—SEMI标准。 1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和尘埃微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。 国际上公认的电子化学品的标准大致可分为四类一类是以SEMI为基础的美国试剂标准；一类是以德国E.Merck标准为主的欧洲试剂标准；一类是以日本关东化学Kanto）公司、和光纯药工业Wako）公司的湿电子化学品为代表的日本试剂标准；另一类则是以REA公司为代表的俄罗斯试剂标准。ULSI在全球的快速发展使得这些标准的指标有逐步接近的趋势，但SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。 目前世界及我国的电子化学品产品通常执行SEMI国际标准，其关键技术指标包括单项金属离子，单项阴离子，颗粒数等，另外根据不同产品特点会相应增加其它一些技术指标。 电子化学品SEMI标准 进入21世纪，国际SEMI标准化组织又根据电子化学品在世界范围内的实际发展情况对原有的分类体系进行了归并，按品种进行分类，每个品种归并为一个指导性的标准，其中包括多个用于不同工艺技术的等级。表2-1列出了IC制造的不同线宽对湿电子化学品SEMI国际标准等级的要求。表2-1 电子化学品SEMI国际标准等级 SEMI等级 IC线宽 μm） 金属杂质 10-9 控制粒径 μm） 颗粒 个/Ml C1（Grade1） 1.2 ≤1000（1ppm） ≤1.0 ≤25 C7（Grade2） 0.8～1.2 ≤10（10ppb） ≤0.5 ≤25 C8（Grade3） 0.2～0.6 ≤1.01ppb） ≤0.5 ≤5 C12（Grade4） 0.09～0.2 ≤0.1（0.1ppb） ≤0.2 从表2-1中可以看出，对应集成电路不同技术水平，所需要电子化学品的标准越高，纯度和洁净度的要求也就越高。如果给电子化学品分级别或档次的话，那么用于≥1.2μm属于低档产品需采用SEMI C1等级的湿电子化学品，0.8～1.2μm属于中低档产品需采用SEMI C7等级的电子化学品，0.2～0.6μm属于中高档产品需采用SEMI C8等级的电子化学品。0.09～0.2μm和0.09μm则属于高档产品需采用SEMI C12等级的电子化学品，其中≥1.2μm和0.8～1.2μm的硅片主要用于制作分立器件；0.2～0.6μm和0.09～0.2μm的硅片主要用于大规模集成电路和超大规模集成电路制造中。 可以看出，电子化学品制备的关键在于控制并达到其所要求的杂质含量和颗粒度。为使超净高纯试剂的质量达到要求，需从多个方面同时保障，包括试剂的提纯、包装、供应系统及分析方法等。目前，国际上普遍使用的提纯工艺有十余种，它们适用于不同成分、不同要求的超净高纯试剂的生产，例如，蒸馏、精馏、连续精馏、盐熔精馏、共沸精馏、亚沸腾蒸馏、等温蒸馏、减压蒸馏、升华、化学处理、气体吸收等。超净高纯试剂在运输过程中极易受污染，所以超净高纯试剂的包装及供应方式是电子化学品使用的重要一环。特别是颗粒控制的相关技术，它贯穿于超净高纯试剂生产、运输的始终，包括环境控制、工艺控制、成品包装控制等各个环节。 目前，国际上制备SEMI-C1到SEMI-C12级电子化学品的技术都已经趋于成熟。随着集成电路制作要求的提高，对工艺中所需的湿电子化学品纯度的要求也不断提高。从技术趋势上看，满足纳米级集成电路加工需求是超净高纯试剂今后发展方向之一。 2.1.3 国内电子化学品标准 国内的电子化学品档次比较低，有的企业拥有自己的企业标准。20世纪90年代中后期，国内当时生产、研制湿电子化学品最大的机构——北京化学试剂所曾提出了BV系列标准。此标准当时以至现今仍对国内湿电子化学品标准有着不小的影响。BV系列标准按BV-Ⅰ、BV-Ⅱ、和BV-Ⅲ等来划分，具体见表2-2。 表2-2 国内半导体用湿电子化学品BV系列标准的品种分等级的规格 品 级 尘埃粒径 尘埃粒子数 金属杂质含量 适用于半导体IC 低尘埃 5～10μm ＞2700个/100ml ≥5C MOS级 ≥5μm ≤2700个/100ml ≤1ppm ≥3μm BV-Ⅰ级 ≥2μm ≤300个/100ml 1～n×10ppb ＞2μm BV-Ⅱ级 ≥2μm ≤200个/100ml 1～n×10ppb ≥1.2μm BV-Ⅲ级 ≥0.5μm ≤25个/1ml ≤10ppb