半导体物理与材料5全解.pptVIP

5.4.1 构造及工作原理 n沟道MOSFET的结构示意图，它是一个四端器件，在p型衬底上制备的两个n+区分别称为源区和漏区，氧化层上的金属接触称为栅极。重掺杂多晶硅或硅化物(如MoSi2)和多晶硅的混合都可作为栅极。MOSFET基本的工艺结构参数包括沟道长度L,沟道宽度Z，氧化层厚度d，结深rj和衬底掺杂浓度NA. 图中所示的中间部分与以前所讨论的MOS结构相对应。 n沟道MOSFET示意图 G S D D G S n沟道和p沟道增强型MOSFET符号 金属铝 导电沟道 P型衬底 两个N+区 以N沟道增强型MOSFET为例： 以源极(S)接地作为其它各点电压的参照。当栅极电压为零时，从源极至漏极(D)相当于两个背对背连接的pn结，能从源流向漏的唯一电流是反向漏电流。 P N+ N+ G S D VD VG ID=0 对应于截止区 ID VD 线性 MOSFET的工作机制及输出I-V特性 a:低漏电压时; 外加于栅极的电压VG足够大时，感应出电子，使半导体表面反型(VGVT)，使两个 n+区之间有了一个反型层构成的沟道。 同时在漏极加一很小的电压 (VD)，于是有电子从源通过沟道流向漏(即有电流从漏流向源)。由于此时沟道宽度基本均匀，起电阻作用，因此漏电流ID随VD线性增加ID＝VD／R.这个沟道的电导可以由栅电压加以控制。 ID SiO2 两个PN结一直反偏 沟道 夹断点 ID VD IDsat VDsat 夹断 MOSFET的工作机制及输出I-V特性 b:初始饱和时; 当VD增大时，ID的随之增大，沿沟道流动的电流在沟道上产生电压降落。这样，沟道中靠近漏极处的电位比靠近源极处的高，使栅极与沟道靠近漏极处的电位差比靠近源极处的小。耗尽层变宽，导致沟道在靠近漏极处变窄。 沟道宽度由源到漏逐渐减小，反型电子也减少，沟道电阻则变大。结果是ID随VD上升变得缓慢了，当VD上升到VD＝VDsat时，在靠近漏端的沟道上，栅极与硅表面的电场已不能使表面反型，即沟道在y＝L处将被夹断，只剩下耗尽层，这时，MOSFET的漏电流开始饱和。 VD＝VDsat P VDVDsat P ID VD IDsat VDsat 饱和 MOSFET的工作机制及输出I-V特性 c:饱和时 5.4.2 电流-电压特性 下面讨论理想条件下MOSFET的I-V关系. 所谓理想条件包括: (1)栅-氧化物-半导体结构具有理想MOS结构所满足 的产件，即：没有界面陷阱电荷，氧化层可动离子电荷、固定氧化层电荷或功函数差等; (2)在讨论中仅限于漂移电流; (3)在反型层中载流子的迁移率为常数; (4)沟道中的掺杂是均匀的; (5)沟道与衬底间的反向漏电流可以小到忽略不计; (6)使表面反型的，沿x方向的电场Ex与使载流子沿y方向漂移的电场Ey无关，并且Ex比Ey大得多. ID dy V(y) 0 L VD dy y a:工作于线性区的MOSFET; b:经放大的沟道区; c:沿沟道的漏电压降 y y+dy 0 y L dy Qn(y) QS(y) (a) (c) (b) 这是一个在线性区工作的MOSFET。在上述理想条件下，如图(b)所示，离开源的距离为y处，单位面积半导体中引入的总电荷Q。 应由下式给出: 其中Vs(y)为y处的表面势， Co＝εoxε0／d是单位面积的栅电容。 沟道反型层电荷Qn(y)由式5.31和5.81给出: 反型层上的表面势,可用2VB+V(y)近似,其中V(y)为图（c）点y与源电极间的电压(假定源接地).表面耗尽区内的电荷,由式5.77代入式5.32得到: 将上式代入5.82可得: 沟道中y位置处的电导率可用下式近似表示: σ(x)=qn(x)μn(x) 对于一电导率为常数的沟道其电导为: 其中 为反型层中单位面积的总电荷Qn的绝对值,因此: 图5-25b中长度dy的沟道电阻为: 沟道元上的电压降为: 其中ID是与y无关的漏电流.将式5.84代入上式并从源(y=0,V=0)到漏(y=L,V=VD)积分,得: 这就是理想MOSFET的电流-电压特性 。 对于VD较小的情况，式5.90可简化为: 其中VT就是由5.3.4一节导出的理想MOS结构的阈值电压表达式5.79 。 VG-VT=10V 8 6 4 2 1 50 40 30 20 10 理想MOSFET的I-V特性曲线 在线性区，沟道电导gD和跨导gm分别为: 当VD增加到VDsat时，沟道在y＝L处被夹断，因此Qn(L)