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八英寸直拉单晶棒晶体缺陷检测 目录 八英寸直拉单晶硅晶体缺陷检测目的 半导体单晶中的缺陷 半导体晶体的电化学腐蚀条件及其反应 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素 腐蚀在半导体技术中的应用 半导体硅的常用腐蚀剂 硅单晶中位错的检测 实验报告 半导体晶体的电化学腐蚀条件及其反应 化学腐蚀 定义：化学腐蚀是指金属或半导体材料于高温下（1200℃） 在腐蚀性气体中所受到的腐蚀。是纯化学腐蚀过程。 电化学腐蚀 定义：电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐蚀。 在HNO3和HF酸性溶液中： 硅单晶在碱性溶液中电化学反应 构成电化学腐蚀条件： 1、被腐蚀的半导体各部分或区域之间存在电位差，构成正极和负极，电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，负极被腐蚀溶解。 2、具有不同电极电位的半导体各部要互相接触。 3、半导体电极电位的不同部分处于相互连通的电解质溶液中，以构成微电池。 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素 1、腐蚀液的成分 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。 2、电极电位 一般对于N型硅来说，电阻率越低（即少数载流子空穴浓度越低），电极电位越低。对于P型硅来说，电阻率越低（即少数载流子空穴浓度越高），电极电位越高。 3、缓冲剂的影响 缓冲剂一般是弱酸弱碱，如CH3COOH和NH4OH等。 4、腐蚀处理温度和搅拌的影响 腐蚀处理温度越高，腐蚀速