开关电源的元件选择答案.ppt

* 3.2 无极性电容 1.有机薄膜电容 介质：薄膜电容有聚乙烯、聚酯（CL）、聚丙烯(CB)、聚四氟乙烯(CF)、聚碳酸脂（CLS ）等薄膜电容。精密、温度特性好、低漏电流。 类型：1.金属箔/膜电容－金属箔作为电极。极低的ESR，可以承受很高的dV/dt和交流电流。体积大，价格高。容量小（低于0.01μF ) 2.金属化电容 －喷涂在介质铝层作为电极。ESR大，较低的dV/dt和交流电流能力。体积小，价格低，有自愈能力。容量大。 * 使用： 相同容量金属箔常用于脉冲、交流高压、缓冲电路（snubber）和谐振电路。 例如二极管缓冲电容选择步骤：1)不接C测量示波图振荡频率fc;2)在D上并联Cx观察示波图使振荡频率fm=fc/2,电路等效分布电容C＝ Cx/3; 3) 分布电感为L＝1/（2πfc)2C;4) 选择 5)选择电容 电阻功耗： dV/dt 要求 ：应当大于Uo/trr, * 金属化电容在局部击穿时产生高温，金属箔蒸发不会短路，电容量减少极小，这种现象就是所谓自愈能力，体积小，价格低。这类电容除了一般应用以外，常用于电磁兼容的X电容和Y电容。对X电容可选得大一些（典型值为0.1μF～1μF），电压定额 2500V安全要求漏电流不得大于工频泄漏电流为0.25～3.5mA（由产品标准定）常选1～4.7nF，2.2nF为典型值，电压3000V * 金属化聚碳酸酯膜介质CLS体积小，耐高温、温度系数小、绝缘电阻高、自愈性。常应用于逻辑控制电路、延时、积分、滤波、耦合和移相电路。 *金属化电容不使用在低电容、小于0.01?F、谐振电路、吸收电路和低噪声 。 壳温升不超过15°C，高温环境壳温不超过最高允许温度。 * 2. 无机介质电容 云母电容：云母片为介质，浸银后形成电极。 电容量在数pF到1μF； 电压定额在50Vdc到2500V -55℃～150℃内电容量漂移不超过0.5% 比有机介质箔电容更高的dV/dt能力 体积较大，成本较高。适合于定时、缓冲电路和高频交流电路使用。 * SMT元件典型值在2~8nH。radial引线型电容在10nH～30nH，螺旋端子电容20~50nH，轴向引线型低于200nH。出头位置和固有电感，电介质接触几何形状灯的电感。电容单元典型电感小于2nH。 * 开关电源中元件选择 * 主要内容 电阻器 电容器 光耦 运算放大器 比较器 保险丝 * 电阻器 (1)-基本知识 定义：R＝U/I 电阻器类型： 碳质电阻，碳膜电阻，金属化电阻，金属氧化膜电阻，贴片电阻，线绕电阻，温度电阻（NTC，PTC），取样电阻，压敏电阻等. 电阻值与公差电阻值与公差 电阻标称值按10进对数分割，根据公差不同分为E48，E24，E12和E6等。公差为1%，5%，10%和20% 等。以5%为例，E24的标称值为 1, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4, 1.5, 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.7, 3.0, 3.3, 3.9, 4.3, 4.7, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1 * 电阻 (2)－定额 定额 标称值-不能任意取 额定功率P＝I2R, I－有效值。实际上还是允许温升决定功率损耗。例如线绕电阻可达270?C 额定电压：与电阻尺寸和绝缘有关。例如使用贴片电阻由300V直流提供辅助电源，不能使用一个电阻降压等等。 * 电阻(3)－温度系数 电阻的温度系数 碳膜电阻 350～1350ppm*/?C 金属膜电阻 25～100ppm/?C 金属氧化膜电阻 100~300 ppm/?C 线绕电阻 （镍铬）25~100 ppm/?C 贴片电阻 100~200 ppm/?C 水泥线绕电阻 20~300 ppm/?C 铜导线电阻 4260 ppm/?C 康铜 近似为零 * 电阻(4)-电阻的使用 普通负载电阻 功率：选择额定功率比实际电路功率大1倍。 直流负载： P=U2/R 开关电路：P=DU2/R或P=I2R 缓冲电路： P=fCU2 电压：只用额定电压一半 数值和公差:一般要求不严格，由电路决定，防失控电阻（最大电阻值）。 定时电阻：精度高，温度系数小。（选大电阻） * 电阻(5)-电阻的使用 取样电阻 电压取样：至少1个采用10kΩ，同类电阻，如果要求输出电压精度高，应当选择高精度。 电流取样：无感电阻－双线反绕线绕电阻，四端电阻；分流器，康铜丝，金属化电阻多个并联。PCB铜皮线（过流检测）35μm mΩ * 电阻(6)-电阻的