光生阴极在腐蚀防护中的进展精选.ppt

光生阴极保护在腐蚀防护中的研究进展 研究背景 金属的腐蚀在自然界广泛存在，它不仅造成大量的经济损失，并且造成一系列的环境污染甚至重大事故。传统的金属防护技术，如阴极保护、有机涂层具有许多缺点，包括材料的消耗，能源的浪费和环境污染。最近，发现半导体材料的金属涂层可以提高在可见光的耐蚀性，在光照下，半导体涂层为耦合金属基体提供光生电子实现光阴极保护。这项利用太阳能对金属阴极保护的新技术得到了广泛地关注。 光生阴极保护原理 TiO2薄膜在金属防腐蚀中的作用示意图 存在的问题 目前主要采用TiO2及其复合膜作为金属的防腐蚀覆盖膜,其存在的关键问题TiO2的禁带宽度为3.2eV，带隙能较高，在波长小于387nm 的光（紫外光）照射下，才能被激发产生光生电子空穴对，而太阳光中紫外光所占比例极小（足5%），由此导致其不能有效利用太阳光。第二，激发产生的光生电子-空穴对大部分会在半导体体内或表面重新复合，降低了光量子效率。 存在的问题 解决思路 目前解决这两大问题有效方法之一就是通过半导体复合对TiO2进行改性一是扩大吸收光的范围,如在TiO2纳米膜掺杂过渡金属如(Fe2O3)可以使膜在可见光范围内有吸收,二是减缓电荷复合,如在TiO2膜层下首先构筑一层Fe一TiO2复合膜可以减缓电荷复合;或耦合另一种与TiO2不同能级半导体(如WO3,SnO2)作为一个电子储存库,可以延长电荷复合的时间。 解决思路 半导体复合主要利用纳米半导体化合物之间的耦合作用。将两种价带、导带和禁带宽度不同的半导体进行复合，由于二者的能级发生交迭，引起光生电子或空穴从一个半导体转移到另一个半导体，进而增加了光生电子和空穴之间的距离，减小了 TiO2的光生电子-空穴对的复合几率，提高了光量子效率，扩宽了光响应范围。 复合半导体的原理示意图 TiO2在光生阴极保护方面的研究现状 TiO2在光生阴极保护方面的研究现状 谢谢！ * TiO2半导体的光电反应过程示意图 研究人 研究方向 制备方法 试验结果 Ohko等人 TiO2/不锈钢体系 300℃的高温下，利用喷涂的方法在304不锈钢表面涂覆厚度为1.2μm的TiO2膜 测试了它的极化曲线，发现该体系的电极电位能达到-350mV左右，说明了它对不锈钢有一定的保护作用。 Tsujikawa等人 TiO2/铜体系 利用溶胶凝胶技术采用提拉法镀膜经过热处理在Cu表面制备了TiO2薄膜 对不同的热处理温度的薄膜进行XRD，XPS表征和电化学测试结果表明锐钛矿型TiO2光生阴极保护保护效果明显。 Tsujikawa等人 TiO2/碳钢体系 利用溶胶凝胶法结合热处理的方法在经过和没经过预烧处理的碳钢基体上制备了TiO2薄膜 经过预热处理后的试样具有更加优异的光电性能。 Fujishima等人 TiO2-WO3涂层体系 将TiO2和WO3颗粒分散在乙醇中通过旋涂的方法在304不锈钢表面成膜 在停止紫外光照射时该体系对304不锈钢仍有防腐蚀的作用 曾振欧等人 TiO2/SnO2体系 采用溶胶凝胶法在304不锈钢表面制备了纳米TiO2/SnO2叠层涂层 紫外光照1h的延时阴极保护可达7h。 Li等人 TiO2/不锈钢体系 利用电化学沉积的方法在TiO2纳米管阵列（TNs）上面沉积了一层CdS 纳米颗粒，得到 CdS–TNs 复合半导体 在紫外光和白光的照射下，CdS–TNs 耦合 304 不锈钢后其开路电位分别负移到-246 mV 和-215mV，这一电位值能够继续在暗态下维持 24 h，说明 CdS–TNs 无论在紫外光下还是在白光下都能对金属基体有一定的光阴极保护作用。 *