2016-1(第一章绪论)解析.ppt

100面的界面态密度（缺陷密度）最低，有利于提高载流子迁移率，可用于MOSFET ；111面虽然缺陷最高，但是原子密度最高，有利于控制结深，适合bipolar。 * 冶金级硅纯度：98%，半导体级硅纯度：9个9 * 外延层的厚度为几至几十微米，依据应用的不同而有所变化。 * 半导体工艺制造过程要求，所有硅片处理设备，所有操作人员，必须处于一个超净环境中，即净化间。净化间内空气需经严格过滤，温度和湿度严格控制。所有设备进入净化间之前需用氮气认真吹扫，所有人员进入净化间之前需穿好净化服。 * Φ300mm的硅锭及硅单晶片成品 §1.3 硅和硅片制备 §1.3 硅和硅片制备 6. 硅中的晶体缺陷 §1.3 硅和硅片制备 点缺陷 – 原子层面的局部缺陷 线缺陷（位错 ）– 错位的晶胞 面缺陷（层错 ）– 晶体结构的缺陷 点缺陷： §1.3 硅和硅片制备 空位缺陷 Vacancy defect (b) 间歇原子缺陷 Interstitial defect (c) Frenkel缺陷 Frenkel defect 线缺陷（位错）：晶胞错位，由不均匀的冷热过程、应力、表面的热氧化等引起。 §1.3 硅和硅片制备 面缺陷（层错）：晶体滑移 §1.3 硅和硅片制备 减少缺陷密度是提高芯片成品率的重要方面： §1.3 硅和硅片制备 成品率 晶体缺陷等硅单晶片参数对电子器件性能的影响： §1.3 硅和硅片制备 7. 硅外延层 §1.3 硅和硅片制备 在单晶衬底上生长一薄层单晶层，称为外延层。 外延层晶体结构与衬底一致，而厚度、导电类型、掺杂浓度可根据需要而定。 §1.3 硅和硅片制备 硅外延发展的起因是为了提高双极器件和集成电路的性能。外延可在重掺杂的衬底上生长轻掺杂的薄层，这样可以提高耐压同时降低导通电阻。在CMOS集成电路中，随着器件尺寸的减小，外延可将闩锁效应降至最低。 §1.4 硅片清洗 §1.4 硅片清洗 硅片沾污源：人体、空气、水、设备、材料。 集成电路制造工艺中，在每步的热处理（包括氧化、扩散、离子注入退火、淀积等）之前都必须进行硅片的化学清洗。 硅片清洗的目的：去除硅片表面沾污的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等污染物以保证器件的良好性能。 常用的化学清洗液 1＃液：氢氧化铵/过氧化氢/去离子水 ＝1：1：5 使用方法：75 ℃ ～85℃，侵泡10～20分 作用：去除硅片表面的颗粒和有机物杂质 §1.4 硅片清洗 2 ＃液：盐酸/过氧化氢/去离子水＝1：1：6 使用方法：75 ℃ ～85℃，侵泡10～20分 作用：去除硅片表面的金属杂质 使用1＃液（SC－1）和2#液（SC－2）清洗又称为RCA清洗， 是美国无线电公司（RCA公司）提出的。 0＃液（piranha）：硫酸/过氧化氢＝7：3 使用方法：125℃，20分 作用：去除硅片表面的有机物和金属杂质 二氧化硅漂洗液：氢氟酸/去离子水＝1：40 使用方法：25℃，侵泡20～60秒 作用：去除硅片表面的自然氧化层 §1.4 硅片清洗 典型的硅片湿法清洗顺序 §1.4 硅片清洗 第一章作业 1.什么叫集成电路和集成度？什么是关键尺寸？ 2.集成电路的发展趋势是什么？什么是摩尔 定律？ 3.写出 IC 制造的５个步骤。 4.请描述多晶和单晶的特点。 第一章练习题 §1.1 （书中第一章）： 3、4、5 、11、13 §1.2 （书中第三章）： 3、8、20 §1.3 （书中第四章）： 12 §1.4 （书中第六章）： 51 海思麒麟925是28nm工艺。麒麟950跳过了22nm，直取16nm。 * 英特尔连续23年成为全球第一大半导体厂商。 * 2015全球IC设计公司排行 海思第6、展讯第10 * 真空管拥有三个最基本的极，第一是“阴极”（Cathode，以K代表）：阴极当然是阴性的，它是释放出电子流的地方，它可以是一块金属板或是灯丝本身，当灯丝加热金属板时，电子就会游离而出，散布在小小的真空玻璃瓶里。第二个极是阳极或“屏极”（Plate，以P代表），基本上它是真空管最外围的金属板，眼睛见到真空管最外层深灰色或黑色的金属板，通常就是屏极。屏极连接正电压，它负责吸引从阴极散发出来的电子（还记得吗？利用异性相吸的原理），作为电子游离旅行的终点。第三个极为“栅极”（Grid，以G代表），从构造看来，它犹如一圈圈的细线圈，就如同栅栏一般，固定在阴极与屏极之间，电子流必须通过栅极而到屏极，在栅极之间通电压，可以控制电子的流量，它的作用就如同一个水龙头一