模电课件第2章_半导体二极管及其基本电路1讲义.ppt

2.发光二极管 发光二极管是一种将电能直接转化为光能的器件，简称LED。常用元素周期表中Ⅲ、Ⅳ族元素的化合主物,如砷化镓、磷化镓等所制成的。当管子通以电流时将发光,这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果，发光颜色由所用材料决定，目前有白、红、绿、黄、橙、蓝等颜色。发光二极管常用作显示器件，省电。也可在光电传输系统中将电信号转化为光信号。 工作电流10mA、电压2v左右。注意限流、分压。 发光二极管 3.光电二极管 光电二极管又称光敏二极管，它的结构与PN结二极管类似，但在它的PN结处，通过管壳上的玻璃窗口能接受外部的光照。其主要特点是，它的反向电流与光照成正比 光电二极管可用作光的测量，是将光信号转换为电信号的常用器件。当制成大面积的光电二极管时，可作为一种能源，称为光电池。 图2.19 光电二极管 （a)电路符号 （b)特性曲线 4.变容二极管 二极管结电容的大小除了与本身的结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减少，这种效应显著的二极管称为变容二极管。其电容量最大值大概为5～300pF，最大电容与最小电容之比约为5﹕1。变容二极管在高频技术中应用较多如彩电电子调谐器。 图2.20 变容二极管 （a)电路符号 （b)结电容与电压的关系 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 * * * * * * * * * * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击 穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得 零温度系数点。 2.3.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR—— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 2.3.4 半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。这些可以从图01.13所示 二极管的伏安特性曲线上看出。 图2.13 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 2.3.5 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 2.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例2.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID