《模电及线性电子电路》第5章.pptVIP

1 第五章 双极型晶体管 (BJT) 2 概要 5.1 器件结构与物理特性 5.2 电流-电压特性 5.3 作为放大器和开关的BJT 5.5 BJT放大器电路的偏置 5.4 晶体管工作在直流电路中的分析 5.6 小信号工作与小信号模型 5.7 单级BJT放大器 5.8 BJT内部电容与高频模型 5.9 共发射极放大器的频率响应 类型及物理结构 工作模式 工作在放大模式下的BJT 放大模式下的电流方程及模型 饱和工作模式 PNP晶体管 5.1 器件结构与物理特性 物理结构 npn 晶体管的简化结构 5.1.1物理结构 pnp 晶体管的简化结构 BACK 5.1.1工作模式 BACK 5.1.2 工作在放大模式下的npn晶体管 工艺条件： 发射区高掺杂 基区很薄 CBJ面积远大于 EBJ 工作过程： 发射区发射电子 基区复合 集电区收集电子 发射极电流 E区和B区的多子互相扩散注入，形成两个 扩散电流in和ip 发射极电流iE由上面两个分量组成 发射区重掺杂，inip，iE主要由电子电流 组成 基极电流 基极电流有两个分量组成 扩散电流iB1 复合电流iB2 复合电流占多数. 基区很薄，基极电流的大小非常小 集电极电流 集电极电流是漂移电流 集电极的电流与CB两端的电压无关.