半导体器件基础教案..docVIP

第一章半导体器件基础 【学习目标】 1.了解PN结的单向导电性。????????????????????????????? 2.熟悉二极管的伏安特性 3.了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途。 4.掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。 5.熟悉三极管共发射极电流放大系数β的含义。 6.熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法。 7.熟悉三极管的主要参数。 8.熟悉MOS场效应管的分类及符号。 9.熟悉增强型NMOS管的特性曲线。 10.了解MOS场效应管的主要参数。 【内容提要】 ??? 本章介绍三种常用的半导体器件，即半导体二极管、三极管及MOS场效应管。重点介绍这些器件的外部特性曲线、主要参数及电路实例。 （一） 1．PN结的伏安特性 PN结的伏安特性描述了PN结两端电压u和流过PN结电流i之间的关系。图是PN结的伏-安特性曲线。可以看出: ??????? ?? （1）当外加正向电压较小（uIUON）时，外电场不足以克服PN结内电场对多子扩散所造成的阻力，电流i几乎为0，PN结处于截止状态； ?? （2）当外加正向电压uI大于UON时，正向电流i随u的增加按指数规律上升且i曲线很陡 。 （3）当外加反向电压（u0）时，反向电流很小, 几乎为0，用IR （4）当u ￡ U(BR) |u| 稍有增加,|i|急剧增大, u ? UBR。 把PN结外加正向电压导通、外加反向电压截止的性能称作单向导电特性.UON, U(BR) 称作反向击穿电压，IR称作反向电流。 ?? 2．半导体二极管应用举例 ??? 半导体二极管是将PN结用外壳封装、加上电极引线构成。可以用作限幅电路、开关电路等。 （1）用作限幅电路 ??? 图2.2（a）是二极管电路。假设输入电压u I是一周期性矩形脉冲，输入高电平UIH=+5V、低电平UIL=-5V，见图（b）。可以知道，当输入信号的正半周时，二极管导通，uO =uI=+5V，负半周时，二极管截止，iD?0，uO ?0，对应波形见图中（c）所示。通过二极管电路，使输出电压负半周的幅度受到了限制。???? ?(2)用作开关电路 在图2.2（a）所示的二极管电路中，假设二极管为理想二极管。可以知道，当输入信号的正半周时，二极管导通，二极管可以看作只有很小（?D?0，二极管可以看作断开的开关。 在数字电路中，二极管常被当做开关使用。 （二）双极型三极管 NPN硅三极管的共射输出特性如图2.3所示。 ??? 把IB=0这条曲线以下部分称为截止区,此时,三极管各极电流iB?iC?BE0.5V；在特性的中间部分,曲线是一族近似水平的直线,这个区域称为放大区,此时,Ic=bIB, 对应三极管放大的条件是uBE30.5V. uBC0V；把输出特性靠近纵轴的上升部分,对应不同的IB值的各条曲线几乎重叠在一起的区域称为饱和区,此时,UCE￡ UCES,对应三极管饱和的条件是uBE30.7V. uBC0V。 ????? ? 2．三极管的主要参数 （1）共发射极电流放大系数b ??? 共发射极电流放大系数b （2）集电极-发射极饱和电压UCES ??? 集电极-发射极饱和电压UCES￡0.3V。 （3）集电极最大电流ICM ??? 集电极最大电流ICM （4）集电极最大功率损耗PCM 集电极最大功率损耗PCM （5）集电极-发射极击穿电压UCEO ICMPCM、UCEO是极限值，使用管子时，不要超过极限值。 ? （三）MOS场效应管 ??? MOS场效应管按其沟道和工作类型可分为四种：N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型。表2.1列出了四种场效应管的特点。?? ??? 图2.4示出了增强型NMOS管共源电路的转移特性和输出特性曲线。 ? ?图（a）的转移特性曲线描述MOS管栅源电压uGSiD之间的关系。因为uGS是输入回路的电压，而iD是输出回路的电流，故称转移特性。可以看出： 当uGSiD基本上为0，管子截止；当uGS大于UTN（UTN称作开启电压）时：iD 随uGS的增加而增加。 ?图（b）的输出特性曲线描述漏源电压uDSiD之间的关系。可以看出，它分作三个区域： 夹断区: uGS UTN 可变电阻区uGS UTN且uDS较小（uDS uGS-UTN）的区域 。在可变电阻区，iD和uDS之间呈线性关系，uGS值越大，曲线越陡，漏源间的等效电阻就越小； 恒流区uGS UTN且uDS较大（uDS uGS-UTN）的区域 。在恒流区，iD只取决于uGS，而与uDS无关。