半导体试题WPS版(12题不兼容)..docx

P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理答：①雪崩击穿：反向偏压下，由于势垒区电场很强，在电场的加速下，少数载流子受到强电场的漂移作用具有很大的能量，当它们与势垒区晶格原子碰撞时，能把价建上的电子激发出来成为电子-空穴对，并在电场的作用下，向相反方向运动，继续发生发生碰撞，如此下去载流子大量增加，迅速增大了反向电流，使P-N结击穿。 ②隧道击穿：在强电场作用下，由于隧道效应，将使P区价带中大量的电子隧道穿过势垒到达N区的导带中去，使反向电流急剧增大，于是P-N结就发生了隧道击穿。 ③热击穿：在P-N结上施加反向偏压时，流过P-N结的反向电流要引起热损耗，反向电压增大时，热损耗也随之增大，如果这些热量不能及时导出去，会使结温上升。而反向饱和电流密度随温度以指数形式增长，随着结温的上升反向饱和电流密度迅速增大，热损耗也会迅速增大，又导致结温上升，进而正反馈的使反向饱和电流密度迅速增大引起P-N击穿。简述晶体管开关的原理上图是晶体管开关电路原理图。当基极输入正脉冲，则基极电流立即上升到随着IB的增加，发射结电压降逐渐由反偏变为正偏，晶体管由截至变为导通。集电极电路也随着基极电流的增加而迅速增加，使得集电结逐渐由反偏变为零偏甚至正偏，集体管电压降VCE也随之迅速下降，C和E之间近似短路，相当于开关K闭合。当基极输入负脉冲或零时。发射结反偏，集电结也反偏。晶体管处于截止状态。集电结电流。相当于开关K断开。晶体管的开关作用是通过基极控制信号使晶体管在饱和态与截止态之间往复转换来实现的。简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系①截止频率表示共基极短路电流放大系数的幅值下降到时的频率。②截止频率表示共射极短路电流放大系数的幅值下降到时的频率。③特征频率表示共射极短路电流放大系数的幅值下降到时的频率。④最高振荡频率表示最佳功率增益等于1时的频率。一般情况下，。简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系弗仑克耳缺陷：间隙原子和空位成对出现的缺陷。肖特基缺陷：只在晶格内产生空位而不产生间隙原子的缺陷。共同点：都是点缺陷的产生方式，都能产生空位，都是由温度引起的热缺陷。关系：它们在一个晶体中总是同时存在的。以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分布特征及与晶体管输出特性间的关系截止状态：由于发射结和集电结都处于反偏，基区边界处电子处于抽取状态故浓度很小。对应于该工作模式的输出特性曲线位于反向饱和电流ICBO下方。特点是输出电流很小，为反向饱和电流。正向放大状态：由于发射结正偏，集电结反偏，基区边界靠近集电结一侧处于抽取状态，电子浓度小，靠近发射结一侧处于注入状态，电子浓度大。对应于该工作模式的输出特性曲线位于集电极电流变化较为平稳的区域。特点是集电极电流变化小，。反向放大状态：由于发射结反偏，集电结正偏，基区边界靠近集电结一侧处于注入状态，电子浓度大，靠近发射结一侧处于抽取状态，电子浓度小。对应于该工作模式的输出特性曲线位于发射结电流变化较为平稳的区域。特点是发射结电流变化小。饱和状态：由于反射结正偏，集电结正偏，基区边界处都处于注入状态，电子浓度都较高，但由于集电区杂质浓度大于发射区，故经集电结注入的电子浓度大于经发射结注入的电子浓度。对应于该工作模式下的输出特性曲线位于集电极电流随VCE呈线性变化区。特点是，。请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工作状态和输出特性基本结构：MOSFET由漏-源区，栅氧化层及金属电极等组成。由N型材料衬底制成的管子称为P沟MOSFET，对于由P型材料衬底制成的管子称为N沟MOSFET。以N沟增强型MOSFET为例介绍其工作状态和输出特性。①可调电阻区（线性工作区、三极管工作区） 条件： 其中VDS为漏-源电压，VGS为栅-源电压，VT为开启电压 该区内，沟道建立，从源到漏的沟道厚度稍有变化，但比氧化层厚度小的多，因此，此时的沟道区呈现电阻特性，电流IDS与电压VDS基本上是线性关系。而且VGS越大，沟道电阻越小。输出特性对应于图中的Ⅰ区。②饱和工作区 条件： 随着VDS的增大，漏端沟道越来越薄，当漏端沟道厚度变为0时，即夹断状态时，就进入了饱和工作区。VDS继续增大，夹断点不断向源端移动。但总的来说，沟道的长度变化不大，所以漏-源电流基本达到饱和值。VDS的增大，只是使夹断区变长，增加的电压均落在夹断区。输出特性对应于Ⅱ区。③雪崩击穿区 条件：VDS超过漏与衬底间的击穿电压时，源和漏之间不必通过沟道形成电流，而是由漏极直接经衬底到达源极流过大的电流，IDS迅速增大。输出特性对应于Ⅲ区。叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素在热平衡状态下半导体中的电子和空穴的产生于复合处于相对平衡，即每秒产生的电子-空穴对数与复合掉