晶体管原理第一章分析.ppt

* 半导体器件原理 辽宁大学 电子科学与技术专业 授课教师：卢雪梅 2007年3月 LEARNING * 目 录 双极结型晶体管 3 PN结 3 2 双极晶体管的设计 3 4 LEARNING 半导体器件基本方程 1 绝缘栅场效应晶体管 5 * 半导体器件基本方程 第一章 1.1 载流子的运动 1.2 半导体中的基本控制方程 载流子的运动 第一节 本征半导体：不含杂质的半导体。 本征激发：热振动使处于晶格上的半导体原子的价键破裂，从 而在半导体中产生自由电子和自由空穴，总是同时产生一个电子 和一个空穴，即所谓的电子空穴对。 N型和P型半导体：通常在本征半导体中掺入适量浅施主或浅 受主杂质形成。温度不高时就几乎全部电离，成为自由载流子。 通常比本征载流子（本征激发的载流子）浓度高很多。 载流子的运动 第一节 在热平衡状态下，半导体中载流子作无规则运动，没有宏观 电流。 如果在半导体局部通过光照或注入载流子的方法，使自由载 流子浓度超过热平衡值，就出现扩散运动。 如果我们对半导体加上外电场，自由载流子除无规则运动外， 还将产生一个定向的漂移运动，引起宏观电流。 载流子的运动 第一节 一、漂移运动 在低电场下，漂移速度正比于电场强度E， 即 1、漂移速度与迁移率 其中μn和μp为比例系数，电子和空穴的漂移迁移率。 在半导体中固有晶格热振动和电离杂质的存在会使载流子运动受到散射，对迁移率影响大。相同电场作用下， μnμp。 载流子的运动 第一节 载流子在电场的作用下将产生宏观电流，称为漂移电流，漂移电流为 2、漂移电流和电导率 则电导率为 载流子的运动 第一节 对于n型、p型和本征半导体的电导率可分别表示为 载流子的运动 第一节 二、扩散运动 扩散流密度：每秒钟通过单位截面积的载流子数，由 菲克定律描述，对空穴和电子， 1、扩散流密度和扩散系数 载流子的运动 第一节 由于迁移率和扩散系数有下列关系，即爱因斯坦关系 于是就有 由于T=300K，q=1.6×10-19，k为玻尔兹曼常数，则 kT/q=0.026V，kT=0.026eV，又因为μn μp ,所以 DnDp 载流子的运动 第一节 在半导体中空穴和电子的扩散电流密度分别为， 2、扩散电流 半导体中的基本控制方程 第二节 一、电流密度方程 电子漂移电流 于是有 在三维的情况下 电子扩散电流 空穴漂移电流 空穴扩散电流 半导体中总电流密度 半导体中的基本控制方程 第二节 二、连续性方程 半导体中某处空穴浓度的增加率 ?p/?t 应该等于该处空穴的产生率gp减 去空穴复合率up和由于空穴电流从此点向四处流散引起的空穴浓度的减小， 于是 同样，电子浓度的改变率为： 以上两式是三维情况下半导体中的连续性方程，物理意义是电荷守恒定律的表述。 半导体中的基本控制方程 第二节 复合率up 和un在小注入状态下可用(pn-pn0)/τp和(np-np0)/τn近似 将电流密度方程代入上两式，得到小注入状态下一维情形的连续性方程 * 结 束 第一章 半导体器件基本方程 * *