(精)2-基本放大电路1009——最新.pptVIP

§2.6 场效应管及其基本放大电路 一、场效应管（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 输出特性 转移特性 2. 绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型 MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 二、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 作业 1.13 1.15 2.14 2.1 §2.7 派生电路 一、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论一：判断下列各图是否能组成复合管 讨论二 二、派生电路举例：组合的结果带来什么好处？ 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? Ro≈429Ω 一、复合管 二、派生电路举例 不同类型的管子复合后，其类型决定于T1管。 目的：增大β，减小前级驱动电流，改变管子的类型。 iB方向决定复合管的类型 在合适的外加电压下，每只管子的电流都有合适的通路，才能组成复合管。 √ √ √ √ 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn Ri=? Ro=? 宽频带，以及更大的增益！ * 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 增强型管 大到一定值才开启 UGS(th) 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 增强型 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 结型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 S G D S G D iD UGS= 0V + uDS + + o S G D B uGS iD O UT 　各类场效应管的符号和特性曲线 + UGS = UT uDS iD + + + O iD UGS= 0V - - - uDS O uGS iD UP IDSS O uGS iD /mA UP IDSS O 耗尽型 增强型 绝缘 栅型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 ID S G D B UDS ID _ UGS=0 + _ _ O ID UGS UP IDSS O S G D B ID S G D B ID ID UGS UT O ID U