2_重点实验室材料..doc

研究方向：薄膜材料及器件制备 本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受主的补偿对载流子浓度及Hall迁移率的影响。研究生长条件(温度、气氛、压力、溅射功率)对薄膜化学剂量的影响，以及化学剂量对薄膜的表面形貌、物相(晶相)、晶粒尺寸、Hall迁移率、电阻率、载流子浓度的影响，了解薄膜淀积的动力学及化学计量学机理，通过生长条件及淀积后快速热退火条件的优化，在低温条件下分别制备高性能的沟道薄膜材料。 2) 电介质性能研究及制备。研究双电层（EDL）的绝缘和失效机理，建立电容和漏电流模型，确定最佳的介质厚度和离子、电子浓度，以提高电容密度，并增强电介质的高场可靠性。研究界面层原子扩散的抑制作用，最大程度抑制低κ界面层的生长，降低栅漏电。从而制备高电容密度、高可靠性、低漏电流的电介质薄膜。 3) 界面特性研究。研究沟道/电介质界面特性，确定界面态及陷阱态密度的分布，分析界面散射及纵向电场引起场效应迁移率退化的物理机制，建立场效应迁移率模型。制备叠层高κ电介质，在增加电容密度的同时，改善沟道/电介质界面特性，提高器件场效应迁移率，增强器件的驱动性能。 4)薄膜器件制备及性能分析。在上述基础上，研制叠层电介质MOS电容器件及薄膜晶体管，对器件的电学特性、可靠性进行全面评估，通过建立器件性能与沟道薄膜、电介质之间的有机联系。从而制备高性能的薄膜沟道器件。 目的和意义： 从经济、社会发展对半导体薄膜、电介质薄膜材料及其器件的重大需求出发，结合国际上氧化物半导体及高κ栅介质研究的主要发展趋势，依托我们的既有工作基础和优势，系统开展Hf、In掺杂的ZnO 薄膜及高电容密度、低漏电的电介质薄膜材料结构设计、材料生长及基于器件功能材料表征的新结构、新方法或新途径的研究。研究失配体系的材料界面特性和缺陷行为，有效地改善材料的性能，建立材料微观结构和器件关键性能参数之间的动态联系，形成我国与国际水平同步、具有鲜明特色和自主知识产权的高性能沟道薄膜和电介质薄膜制备技术。通过对非平衡条件下氧化物半导体的外延生长动力学与缺陷控制等关键科学问题的深入探索，攻克相关的材料制备和器件研制关键技术，建立相关的理论和原始技术创新体系，培育和凝聚一支具有国际水平的研究队伍，为氧化物半导体及高κ栅介质在薄膜晶体管、存储器、电容器件等方面的重大应用奠定科学基础，为自主发展我国的薄膜材料科学和技术，为促进相关高技术产业的培育和发展做出贡献。本项目的实施将为满足我国大面积平板显示器件的发展和中长期需求奠定科学技术基础和创新团队基础。 预期目标： 通过对半导体薄膜的合理掺杂及淀积后退火等工艺手段，制备高性能的薄膜材料，以适应现代光电子产业对薄膜器件的需求。1）ZnO掺杂，制备高迁移率、高稳定性的沟道级薄膜材料，电子迁移率达到100 cm2 /V s。2）高可靠性电介质薄膜材料，电容密度达到?F/ cm2，漏电流低于10-6 A/ cm2。3）薄膜晶体管的饱和迁移率达到5 cm2 /V s，电流开关比106以上，亚阈栅压摆幅低于200 mV/dec。 最新进展，发展趋势 电介质材料 目前最常用的电介质是SiO2薄膜，漏电流小，击穿场强高，缺陷密度低，Si/SiO2系统具有近乎完美的界面特性，但SiO2介电常数较低(κ ~ 3.9)，难以提供足够的电容密度。微孔SiO2固态电解质，利用电子绝缘，离子导电，形成的双电层介质(electric double layer, EDL)可提供巨大的电容密度(~4 ?F/cm2)；而且，电介质的物理厚度在?m级，漏电在10?12 A数量级，是目前最新具潜力的电介质材料。但EDL的失效机理还不清楚，而且不耐高压，因此通过优化结构设计，以提高其可靠性。 薄膜沟道材料 国内对薄膜材料及器件的研究刚刚起步，如南京大学、兰州大学、安徽建筑工业学院研究氧化物薄膜的光电催化作用，取得了一定的进展。上海交通大学、吉林大学正在探索薄膜材料的光伏效应。华中科技大学、中科院长春光机所、华中师范大学制备了氧化物半导体薄膜及相关器件，浙江大学研究了多孔薄膜材料在Li离子电池方面的应用。复旦大学在氧化物薄膜非易失性存储器方面的研究，取得很多有价值的成果。平板显示器件，也需要薄膜晶体管开关和驱动。因此，制备高性能的沟道薄膜材料，是开发具有自主知识产权的光电子产品的关键技术。 科研队伍： 学术带头人简介及创新性成果： 邹晓：1971年生，博士，教授。主要研究方向有半导体材料、器件及其电特性模拟与仿真、先进CMOS器件的制备及可靠性分析等。主持中国博士后科学基金项目2项，高等学校博士学