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第11章 大规模集成电路 本章介绍了模—数转换器（A/D）、数—模转换器（D/A） 第11章第1课 在本次课中，我们将介绍数—模转换器、模—数转换器。 一、模—数与数—模转换器的引入 二、数—模转换器的基本原理 【例1】已知一个4位权电阻DAC输入的4位二进制数码为D3D2D1D0=1011，参考电源UREF=-8V，转换比例系数为1。求转换后的模拟信号电压UO。 三、D/A转换器的芯片实例 AD7520内部结构图 倒T形电阻网络D/A电路结构 倒T形电阻网络D/A工作原理 模拟开关Si由输入数码Di控制，当Di=1时，Si接运算放大器反相端，电流Ii流入求和电路；当Di=0时，Si则将电阻2R接地。根据运算放大器线性运用时虚地的概念可知，无论模拟开关Si处于何种位置，与Si相连的2R电阻均将连“地”（地或虚地）。这样，流经2R电阻的电流与开关位置无关，为确定值。分析R-2R电阻网络可以发现，从每个节点向左看的二端网络等效电阻均为R，流入每个2R电阻的电流从高位到低位按2的整数倍递减。 设由基准电压源提供的总电流为I(I=VREF/R)，则流入各开关支路（从右到左）的电流分别为I/2、I/4、I/8和I/16。 于是可得总电流 i ∑ =VREF/R(D0/24+D1/23+D2/22+D3/21) =VREF/(R×24) ×∑(Di·2i) 故Uo=I ∑ *Rf=VREF/24 ×∑(Di·2i) i=0,1,2,3 四、模—数转换器的一般过程 4、电平量化的两种方式 通常在划分量化等级时有两种方法 五、模—数转换器的类型 模—数转换器一般分为两大类：直接法、间接法 2、模—数转换器的转换精度及速度 六、模—数转换器的实例 ADC0809应用实例 第11章第2课 在本次课中，我们将介绍存储器、PLD等大规模集成电路及其进行电子电路设计的一般方法。 谈到存储器，读者不免联想起触发器和寄存器。 触发器具有两个稳定状态，可以存储一位二进制数。 寄存器由触发器组成，n位并行寄存器可存储n位二进制数。 触发器、寄存器均具有存储功能，但它们不是存储器。 还有一些设备人们也把它称为存储器，如硬盘、软盘、光盘等。这些设备具有存储大量数据或信号的存储特点，但它的存储单元不属于电气部件，不可与电气设备直接联接，需要接口电路，因而不是《电工电子技术》课程研究的内容。 存储器是计算机的五大部件之一，是用于存储大量数据或信号的半导体器件 存储器应采用专门的电路结构，以满足大量数据存储的要求。 从集成工艺的角度，存储器可分为MOS存储器和双极型存储器。 从读写方式的角度，存储器可分为只读存储器（ROM）、随机存储器（RAM）。 ROM从字面意思上看只可读，但现在的ROM芯片均可写，按信息的写入方式分为： 固定ROM： 可编程ROM（简称PROM） 可擦可编程ROM（简称EPROM） 可电改写ROM（简称EEPROM） RAM可方便地读写数据，但当电源去掉后所存的信息立即消失。目前常用的RAM有SRAM、DRAM。 二、 存储器的电路结构 常用下面两个参数来描述存储器的存储容量 存储器的字数 通常把存储器的每个输出代码叫一个“字”。存储器所具有的地址线的根数m反映了存储器的字数。存储器的字数反映了存储器的存储单元的多少。 显然，具有m根地址线的存储器的字数为2m。 存储器的位数 存储器每个输出“字”所具有的二进制位数称为存储器的位数。存储器所具有的数据线的根数n反映了存储器的位数 上面两个参数常用“字数×位数”形式来表示。 如8位8K存储器表示存储器的字数为8K，位数为8位，记为“8K×8”。 三、芯片实例 1、RAM 2、 ROM集成芯片 四、存储器的扩展 五、用 ROM实现组合逻辑函数 六、其它类型可编程逻辑器件 黑点“●”表示该点为固定联接点，出厂时已做好，用户不能修改；叉点“×”表示该点为用户编程点，芯片出厂时该点也是接通的，用户可根据需要继续保持接通或将其断开；既无黑点“●”也无叉点“×”表示该点是断开的 3、 PLD实例 图示FPLA由一个与逻辑阵列、一个或逻辑阵列和输出缓冲器组成，与ROM结构相似，但编程方式更灵活 可通过一个例子来理解 通过上面的例题，我们看到，利用FPLA设计组合电路，较用EPROM设计组合电路更为方便 简要说明如下： 具有11根地址线A10~ A0、8根数据线D7~ D0； 输出使能控制端（当=0时，存储单元内容允许输出）； 片选控制（当=0时，芯片工作）； 专用设备擦除、专用设备写入 当使用一片RAM器件不能满足对存储容量的要求时，可以将若干片RAM组合起来，连接成一个容量更大的RAM 如果每一片RAM中的字数