DS18B20特性..docVIP

DS18B20简介 概述 DALLAS公司推出的DS18B20数字式温度传感器是一线式数字温度传感器。它将地址线、数据线、控制线合为一根双向串行传输数据的信号线，并允许在这根信号线上挂接多个DS18B20，其广泛用于工业、民用、军事等领域的温度测量及控制仪器、测控系统和大型设备中。它具有微型化、低、高性能、等优点，可直接将温度转化成串型数字信号供处理器处理。 功能 GND 电压地 NC 空引脚 DQ 单数据总线（数据输入/输出引脚） VDD 电源电压（寄生电源供电时接地；外部电源供电时接工作电源） 图1 DS18B20引脚图 图2 实物图 DS18B20的内部结构 DS18B20的内部结构3所示，主要包括下列7个部分。 寄生电源。 温度传感器。 64位光刻（laser）ROM与单线接口：64位光刻ROM从高位到低位依次为8位CRC、48位序列号和8位家族代码（28H）。 高速暂存器，即便签式RAM，用于存放中间数据；配置寄存器为高速暂存器中的第5个字节。DS18B20在工作时，按此寄存器中设置的分辨率将温度转换成相应精度的数值。该寄存器的R0、R1为分辨率视之为，出厂时R0、R1置位默认值，即R0=1，R1=1(即12位分辨率)，用户可根据需要改写配置寄存器以获得合适的分辨率。 高温触发器TH和低温触发器TL，分别用来存储用户设定的温度上、下限值。 存储与控制逻辑。 8位循环冗余校验码（CRC）发生器。 图2-3 DS18B20的内部结构 光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻号的，可以看成是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1)。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。高速暂存器是一个9字节的存储器。开始两个字节包含被测温度的数字量信息；第3、4、5字节分别是TH、TL、配置寄存器的临时拷贝，每一次上电复位时被刷新；第6、7、8字节未用，表现为全逻辑1；第9字节读出的是前面所有8个字节的CRC码，可用来保证通信正确。 DS18B20温度传感器的内部存储器结构如图4所示。 图4 DS18B20内部存储器结构 在监测过程中，对DS18B20的操作是以ROM命令和存储器命令形式实现的，其中ROM操作命令均为8位长，命令代码如表2所示。 表2 DS18B20的ROM命令 指令名称 指令代码 指令功能 读ROM 33H 读DS18B20ROM中的编码（即64位地址） 符合ROM 55H 发出此命令之后，接着发出64位ROM编码，访问单总线上与该编码相对应的DS18B20使之做出响应，为下一步对该DS18B20的读写做准备 跳过ROM 0CCH 忽略64位ROM地址，直接向DS18B20发送温度变换命令，适用于单片工作 搜索ROM 0F0H 用于确定挂接在同一总线上DS18B20的个数和识别64位ROM地址，为操作各器件做好准备 告警搜索命令 0ECH 执行后只有温度超过设定的上限和下限的芯片才做出响应 存储器操作命令如表3所示。 表3 存储器操作命令 指令名称 指令代码 指令功能 温度转换 44H 启动DS18B20进行温度转换，转换时最长为500ms，结果存入不9字节RAM中 读暂存器 0BEH 内部RAM中9个字节的内容 写暂存器 4EH 把数据写入暂存器的TH、TL字节 复制暂存器 48H 把暂存器的TH、TL字节复制到EEPROM中 重调EEPROM 0B8H 把EEPROM中的值写到暂存器的TH、TL字节 读供电方式 0B4H 读DS18B20的供电模式，寄生供电时DS18B20发送“0”，外接电源供电时DS18B20发送“1” 四、DS18B20的供电方式 （1）DS18B20寄生电源供电方式图寄生电源供电方式VDD和GND引脚接地，由I/O（Input/Output，输入/输出）引脚为DS18B20提供电源电流。在强上拉方式下可以解决电流供应不走的问题，因此也适合于多点测温应用，缺点就是要多占用一根I/O口线进行强上拉切换。 图5 寄生电源供电电路图 （2）DS18B20的外部电源供电方式 外部电源供电方式，DS18B20工作电源由引脚接入，其VDD端用3～5．5V电源DS18B20提供电源电流。此时I/O线不需要强上拉不存在电源电流不足的问题，可以保证转换精度，同时在总线上可以挂接DS18B20传感器组成多点测温系统。在外部供电的