双极型开关管的合理置换分析.ppt

一、直接置换常见现象 在线路应用中，由于种种原因设计师经常需要： 国产开关管置换进口管 国内不同生产厂家的开关管置换 同一生产厂家的不同型号产品置换 从设计、采购和生产安排等方面考虑，线路设计师总是希望选择的功率开关管能够直接置换、相互兼容。但有时直接置换的结果并不理想。 直接置换的常见现象： 1、完全满足使用要求。 2、不能完全适用 生产线上考核正常，但加严考核易失效（高压、高温）。 部分性能不能满足设计要求： 低压启动 负载功率 EMI 生产线上出现大批量异常： 批量失效 不能启动 置换异常的原因分析 2、线路成本压力导致对开关管的要求提高 受产品价格竞争的影响，外围相关保护元件缩减或质次，压力转嫁到开关管上。 追求产品外形的美观小巧，内部工作空间的压缩。 不加或减小散热片面积，工作温度偏高。 为降低成本，选用的开关管自身安全余量不充足。 芯片面积越用越小 封装小型化 二、如何实现安全置换 要实现安全置换，需要关注以下方面： 1、选取合适参数的样管： VCBO VCEO 不能一味求高 IC VCES 结合成本，留有一定余量 hFE ts 尽量选择同原用范围一致 tf fT 对开关损耗有影响 实际应用中偶尔会出现超过晶体管击穿电压值的脉冲电压，但晶体管未损坏，应用的是晶体管VCER 。 2、合理的驱动设计，减低开关管的功耗 1） 开关管的功耗构成 当晶体管作为开关应用时，在每一个周期内，晶体管都工作于三个不同的状态：截止、放大、饱和。因此，晶体管的功率损耗由三部分组成： 通态损耗： 饱和导通时的损耗 ICES×VCES 断态损耗： 晶体管截止时的损耗 VCE×ICEO 这部分功耗是微不足道的 开关损耗： 晶体管由饱和转换为截止或由截止转换为饱和时的损耗。 在开启和关闭时间段内，晶体管压降和电流都比较大，占整个管耗的比重也比较大。 开关损耗与电路参数的选择即匹配状态有很大关系。 2）追求最佳匹配状态 基极注入电流IB1： IB1增大，有助于减小延迟时间和上升时间。 IB1过大会出现过饱和，使收集区储存电荷增多，对减小存储时间不利。 基极抽取电流IB2： IB2增加可减小存储时间和下降时间。 增大IB2对开通时间ton不利。 IB1等于2倍的集电极峰值电流除于该集电极电流下的β，与此同时IB2等于集电极峰值电流的一半时，集电极峰值电流的下降时间最小： IB1=2Ic/β IB2=Ic/2 在这样的偏置条件下，由于集电极电流的下降时间最小，所以集电极电流和电压的交叉时间也最小，开关功耗最小。 实际的参数会有差别，要根据各种管子的特点和线路仔细调整，才能获得最佳匹配效果。 对双极型开关管的应用，线路匹配的关键就在于驱动电路的设计上。 有时在用3DD13003的线路中直接置换3DD13005或3DD13007可能会更容易失效， 不是因为耐压或电流不够，而是匹配状态不合适，引起开关损耗大增，开关管因温度过高而损坏。 3、关于开关参数的影响 使用3DD128F （ts：2.2~3.5~5.2 μs ，分档范围宽、通用性强）多年，一直质量稳定可靠 由于成本方面的原因，改用国内其它厂家的稍小芯片晶体管（ts：2.0~2.5~3.0μs ，分档范围窄） 由于芯片面积减小，同时ts值也减小较多，要保持灯功率、低压启动等技术指标，其驱动回路的元件值进行了适当调整，也能大批量正常使用。 2、在PC电源中的置换应用 某客户采用3DD13007在200W的PC开关电源中应用时，进行直接置换后试用效果好，晶体管的温升比进口管的低，满足各项技术指标，批量使用正常，失效率低、可靠性高。 后突然反馈生产线上有大比例高压或重负载不启动现象，换用进口产品则能正常工作。 经现场了解和测试比较，发现此现象与其采用不同厂家的驱动开关变压器有关。 由于开关管频率特性的差异引起开关瞬态响应不同，造成开关变压器输出的电压脉冲峰值偏高，加上不同厂家的驱动开关变压器特性方面的差异，使该电压脉冲峰值偏高到一定的程度后引起保护电路的误动作而出现异常。 通过对线