M5573替代昂宝OB2263..docVIP

描述 M5573A是一款优化的高性能高集成的用于反激式变换器的电流模式PWM控制芯片，具备低待机功耗和低成本的优点。 正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内。在空载或轻载条件下，IC就会工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率的实现。 M5573A提供全面的保护，包括自动恢复保护，逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP），和过电压（固定或可调的）保护（OVP）。 M5573A频率抖动能实现优良的EMI性能。 M5573A在工作中消除了低于20kHz音频噪声的消除。 M5573A采用SOT-23-6封装。 特征 软启动功能，减少应力功率MOSFET?VDS 降低EMI频率抖动功能 跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗 最小功率的备用电源设计 消除音频噪声 65khz的开关频率 综合保护性能 带迟滞功能的VDD 欠压保护 逐周的过流阈值设置，在全电压范围内恒定输出功率 过载保护（OLP）与自动恢复 自动恢复的过温保护（OTP） 自动恢复的VDD 过压保护（OVP） 可通过外部齐纳二极管过压保护可调节的OVP 应用领域 适用于AC/DC反激式变换器 手机充电器, 上网本充电器 笔记本适配器 机顶盒电源 各种开放式开关电源 引脚功能描述 管 脚 I/O 描 述 GND P 地 COMP I 反馈输入引脚。PWM的占空比决定于COMP引脚电压和SEN引脚电流检测信号 OTP I 多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能，也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护 SEN I 电流检测输入 VDD P 电源 DRV O 输出DRV驱动功率MOSFET。 绝对值范围 项目 值 单位 最小值 最大值 VDD直流供电电压 30 V VDD 齐纳嵌位电压 10 V VDD 直流嵌位电流 VDD_Clamp+0.1 mA COMP输入电压 -0.3 7 V SEN输入电压 -0.3 7 V OTP输入电压 -0.3 7 V 最小/最大工作结温 -20 150 ℃ 最小/最大贮存温度 -55 165 ℃ 最高温度（焊接，10秒） 260 ℃ 芯片框图 应用信息 M5573A是一款优化的高性能高集成的用于反激式变换器的电流模式PWM控制芯片，具备低待机功耗和低成本的优点，扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节能的要求。 启动电流和启动控制 M5573A启动电流非常低，便于获取高于VDD的UVLO值并迅速启动。因此，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。 工作电流 M5573A工作电流低至1.4mA。跳周期模式与工作电流一起扩展能实现较高效率。 软启动 M5573A在通电时触发一个4ms的软启动来降低启动时的应力。当VDD达到VDD_ON，SEN尖峰电压由0.15V逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。 频率抖动干扰的改进 M5573A集成了频率抖动（开关频率调制）功能进行扩频，最大限度地降低了EMI带宽，简化了系统设计。 跳周期模式操作 在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。 开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否则，DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。 开关频率的控制消除了在任何负载条件下的噪声。 振荡器 开关频率固定在65kHz ，PCB设计简化。无需外部元件的频率。 电流检测和前沿消隐 M5573A是current模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到SEN引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由SEN电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。 内部同步斜坡补偿 内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入SEN引脚输入电压来帮忙生成PWM信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。 驱动 功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSFET开关损耗就越大；而DRV驱动越强，直接影响EMI性能。 一个很