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* * 所谓体硅工艺，是指利用刻蚀工艺，对块状硅进行准三维结构的微加工。这种技术在20世纪70年代至80年代得到了发展。这种加工是将整块材料，如单晶硅基片加工成微机械结构的工艺，与微电子生产中的亚微米光刻工艺比较，其工艺尺度相对较大而粗糙，线宽一般在几微米到几百微米之间。根据蚀刻方法的途径的差异，体硅微机械加工又分为ａ．硅各向异性化学湿法腐蚀技术，ｂ．熔解硅片技术， ｃ．反应离子深刻蚀技术。 表面微机械加工技术。被加工的微机械装置一般包括一层用作电连接的多晶硅层和一层或多层的机械加工多晶层，由它们形成各种机械部件，如悬臂梁、弹簧、联动杆等。由于整个工艺都基于集成电路制造技术，因此可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个微机械装置。这种技术的最大优点是在与ＩＣ工艺完全兼容，但是，它制造的机械结构基本上都是二维的，若利用多层加工，也可制造结构复杂，功能强大的ＭＥＭＳ系统，但是微型元件的布局平面化和残余应力等问题必须在设计中予以考虑。 复合微机械加工技术, 该技术是体硅微机械加工技术和表面微机械加工技术的结合，具有两者的优点，同时也克服了二者的不足 * * * 在以硅为基础的MEMS加工技术中，最关键的加工工艺主要包括深宽比大的各向异性腐蚀技术、键合技术和表面牺牲层技术等。各向异性腐蚀技术是体硅微机械加工的关键技术。湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。常用的进行硅各向异性腐蚀的腐蚀液主要有EPW和KOH等，EPW和KOH对浓硼掺杂硅的腐蚀速率很慢，因此可以利用各向异性腐蚀和浓度选择腐蚀的特点将硅片加工成所需要的微机械结构。利用化学腐蚀得到的微机械结构的厚度可以达到整个硅片的厚度，具有较高的机械灵敏度，但该方法与集成电路工艺不兼容，难以与集成电路进行集成，且存在难以准确控制横向尺寸精度及器件尺寸较大等缺点。为了克服湿法化学腐蚀的缺点，采用干法等离子体刻蚀技术已经成为微机械加工技术的主流。随着集成电路工艺的发展，干法刻蚀深宽比大的硅槽已不再是难题。例如采用感应耦合等离子体、高密度等离子体刻蚀设备等都可以得到比较理想的深宽比大的硅槽 * * 各向异性停蚀技术包括重掺杂停蚀、(111)面停蚀、电化学停蚀以及p-n结停蚀 对(111)面的腐蚀速率远比其他晶面低，腐蚀过程中(111)面常起着阻挡腐蚀的作用。当腐蚀区的边是某一个(111)面与硅片表面的交线时，腐蚀过程就不会发生钻蚀，即腐蚀区的边界基本上就是由腐蚀掩膜的边界决定的 * * * * * * 附加有明确的锚接轮廓的制作微悬臂梁的工艺过程示意图 （利用掩膜腐蚀出悬臂梁应锚接的区域） 结构层在锚接区域与衬底直接连接，即使放宽释放时间，也不会腐蚀掉锚接部分 * 凹坑的牺牲层材料的腐蚀深度不到衬底，要控制腐蚀时间 这是一种在表面微机械加工中广泛应用的工艺。凸起点制作在悬臂梁端部，面积很小。这是因为在湿法腐蚀时，一般会产生一种拉力，把悬臂梁拉向衬底并有很大的接触力。如果没有凸起点，结构光滑的下表面和经过抛光的衬底会发生紧密接触，使悬臂梁与衬底黏在一起（也称为静摩擦力作用）。这种现象通常会发生在释放后的表面微加工结构上。所以预设凸起点的工艺广泛应用在表面微加工的、可变形的结构上 * * * * 阳极键合也称静电键合。阳极键合常常用于玻璃和硅（或金属）之间的键合，玻璃可以是基片；也可以用在两片硅晶片之间的键合。键合时 玻璃中所含的钠是静电键合所必须的。在常温下，玻璃是绝缘体，但在400oC的温度下玻璃可以导电。在温度和电场作用下，Na+向负极漂移，在硅—玻璃界面处形成一层无Na+的高阻层。这时加在硅片—玻璃之间的电压几乎全部降落在这一高阻层内。 * * * 两片(100)型硅，一片p型，在衬底上外延一层n型硅膜；另一片n型(100)硅膜用各向异性腐蚀法腐蚀出锥形槽； 将两片硅直接键合在一起；腐蚀掉第一片硅的p型衬底（即减薄第一个硅片），并在其上制作离子注入电阻；用抛光的方法，按照设计的尺寸减薄第二片硅，最后形成压力传感器芯片 * 电子束光刻，在扫描电子显微镜基础上发展而来的电子束光刻系统。最先进的系统如Leica光刻公司的100kev VB6HR矢量扫描电子束曝光机，提供了小至几纳米的高斯束探针。激光控制的工作台允许基本图形拼接形成整体图形。这些系统提供了独特的灵活手段，适用于没有最终分辩损失的纳米技术要求的MEMS器件加工。 聚焦离子束光刻，经过10～15年的发展在半导体业内已被接受。其与扫描显微镜，精密刻蚀和淀积的独特结合，能使聚焦离子束设备在MEMS研究中形成最佳的研究与开发的选择方法。很高的探针分辩力还形成了新的机器（小至5nm）。它意味着聚焦离子束方法将在纳米技术的研究与开发中扮演一种非常关键的角色。这种系统通常由一个液态金属离子源提供一束镓离子加速到50kev