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混合压电微型阀
激光加工的压电双的机械连接镍表面微机械结构的锚定在瓦楞纸上的Si N-聚对二甲苯复合膜系绳。聚对二甲苯层也用作一个阀座上兼容的密封层,用于减少在关机状态下的泄漏自对准的方式连接大容量的压电到微机械膜片的机械连接已经研制成功该设计使低驱动电压(10 V)行程(2.45),消耗相对较低的开关能量(678)。通过调制孔板间隙测量流速的依赖被发现(1-100)在低雷诺数层流微型阀的实验特征在于气体和液体的流动。例如,在10 V单压电晶片致动,在压力差为9.66测定气体流量420微升/分钟。0 V驱动关闭状态泄漏率估计为10-20升/分钟。典型流速率20Vpp(1千赫)50%的占空比脉冲宽度调制(PWM)致动测定6.9 kPa下气体为770微升/分钟在4.71千帕液体2.77u L / min。磁性挤压,微型阀,压电单晶片。
微流体设备组成部分(微型阀,微型泵,流量传感器,过滤器等)的发展实验室芯片的集成子组件兼容性制造工艺。此外,需要电池供电的便携式微流控平台领域和手持操作应用要求设备工作在低电压和低电流,延长电池寿命。7450 Kg/m , 63 GPa and 8900 Kg/m , 150 GPa。PZT的横向压电耦合系数和介电常数分别采取-262×10-12 coulomb/N, 3450。对于上面所示的PZT的几何参数,镍层的最佳厚度的计算为40微米。?优化是通过最大限度的提高尖端位移实现的,这取决于如图4所示的弹性层厚度。同时最大限度地减少电镀处理产生的残余应力(及因此导致的单压电晶片致动器的变形),该残余应力随着镍层的厚度增加而增加。这种设计预计在致动电压10 V的条件下将产生9.17微米的位移。
利用式(4),悬臂结构的基本谐振频率计算结果是432赫兹。由膜的系绳和镍阀帽加载的致动器的谐振频率,可以通过将膜看作一个弹簧同时忽略膜和镍阀帽群的质量来进行建模计算。
开关能量可以通过考虑切换后存储在压电致动器的内部能量来计算。该压电致动器以机械和介电能源的形式存储能量,这中能量可以通过存储在静态夹持电容Cp中的能量封装起来,按照如下公式
此公式中 ,其中Cb是阻断电容其中,定义为压电材料应变为零时的电容,及压电材料横向方向上的机电耦合系数。对于所选的PZT致动器设计,Cb预计是11.6 nF的。鉴于生产商列出的系数k31的值为0.38,静态夹持电容的预期值计算为13.56 nF。致动电压为10 V时预期的开关能量计算为678毫焦。
对于给定激励频率的功耗,倘若2лfCR1,可以通过开关能量和损耗角正切tanδ计算出,如
鉴于列出的损耗角正切值为0.02,在1千赫条件下,10 V电压致动时,功率消耗预期值计算为85.15微瓦。
IV.制造和装配
制造工艺采用模块化是因为硅结构和压电致动器是分开制造的。在最后步骤中,使用铁 - 环氧树脂支柱将他们组装在一起。
各个模块及其装配过程的制造工艺介绍如下。
A. PZT单层压电致动器
一个250微米厚的极化的1英寸方形的PZT晶片,只在一面电镀40微米厚的镍层,并使用低应力的电镀配方(Technic股份有限公司的镍溶液方案)。晶片使用1.5-W355 nm的二极管激光(Coherent公司的AVIA355-1500),通过消融切割,激光加工成双悬臂形状。每个致动器的切割过程需要41分钟,由于是非热能的烧蚀切割并没有对压电陶瓷去极化。如后面所述,铁 - 环氧树脂支柱是磁力挤压成型的,在悬臂的前端也用激光切割一个直径2 00-400um的小孔。
B.阀板的制作
阀板焊接在的硅晶片(100)上。图5显示了主要的制造步骤。制造开始以硅的反应离子蚀刻(RIE),形成5微米深,宽20微米的槽(如图6(a)),作为随后要沉积的层的模具。保护环的宽7微米、深30微米的沟槽(图1(b))使用深度反应离子蚀刻LPCVD(低压化学气相沉积) SixNy层被沉积下来[见图5(a)]。一个反应离子刻蚀(RIE)的步骤常常是,在所沉积的氮化物前侧进行蚀刻来界定进气孔。如图6(d)所示,进气口可设计为一个有过滤器的筛。接着,在前侧沉积1.5微米厚的PECVD(低温沉积技术等离子体增强化学汽相沉积
一个3微米厚的聚对二甲苯层,使用氧等离子体的反应离子刻蚀RIE界定阀座和镍质量的锚定,然后沉积和模式化,[参照图5(C)]。接着,一个5微米厚的光阻材料层进行纺丝,作为镍阀帽下的待除层。一个50nm厚的钛膜沉积,随后200 nm的铜作为电镀镍的籽晶层。然后通过一个70微米厚的AZ4903光致抗蚀剂层旋转形成一个电镀模具,并模式化来定义阀帽(如图5(d))。使用低应力配方电镀一个50微米厚的镍层。使用一个同步的KOH蚀刻步骤,通过蚀刻硅体释放该膜系链,并且由一个单面蚀刻夹具保
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