- 1、本文档共14页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
声光控LED课程设计.
电 子 课 程 设 计
设计题目:声 光 控 LED 设 计
班 级:2013级 机 械 二 班
指导教师:
设计时间:
0
目 录
摘要 ……………………………………………………………1
1 概述……………………………………………………………1
2 课程设计任务及要求……………………………………………3
2.1 设计任务…………………………………………………3
2.2 设计要求…………………………………………………xx
3 理论设计…………………………………………………xx
3.1 理论分析…………………………………………………xx
3.2 系统设计…………………………………………………xx
3.2.1 结构框图及说明………………………………xx
3.2.2 系统原理图及工作原理……………………………xx
3.3 单元电路设计……………………………………………………xx
3.3.1单元电路工作原理…………………………………………xx
3.3.2元件参数选择………………………………………………xx
4 安装调试…………………………………………………xx
4.1 设备准备与检查 …………………………………xx
4.2 安装调试过程………………………………………xx
4.3 故障分析……………………………………………xx
4.4 实物展示……………………………………………xx
5 结论………………………………………………………xx
6 使用仪器设备清单………………………………………xx
7 收获、体会和建议…………………………………………xx
摘 要
LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具LED作为新一代的节能照明产品,其拥有低能耗、体积小、无污染等诸多优点而受到广泛关注。声、光控照明灯开关电路,能自动控制白天关,夜晚有声响自动开启亮灯,使其能达到人走灯灭的效果。该电路具有灵敏高、性能稳定、使用寿命长、节能等特点。
关键词 LED; 照明; 节能工作; 声光控开关
1
LED(Lighting Emitting Diode)照明即是发光二极管照明,是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
1.1 LED
1.1.1 基本概念及照明原理
LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I- N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即
(1.1)
式中Eg的单位为电子伏特(ev)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63ev之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
1.1.2 LED
1 极限参数
(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。
(4)工作环境
文档评论(0)