晶科能源晶硅组件技术白皮书..docxVIP

晶科能源发布晶硅组件技术白皮书?1.LID衰减LID(LightInducedDegradation)：即光致功率衰减，一般组件运行初始阶段LID较高，之后随电池片硼氧复合体的逐年平稳下降，但理论数据和电站历史实测数据都证实多晶无论是第一年的初始光衰，第1~5年的光率，还是以后的稳定光率都要明显低于单晶。所以单多晶提供的功率衰减质保和实测数据都是多晶更具优势。行业功率衰减线性质保：多晶功率衰减质保就较单晶低0.5%，同样功率组件，多晶寿命周期内保障的发电量就高于单晶。LID衰减实测：单晶初始LID光率较多晶高1.0%，光衰后单晶组件功率与标称功率差距显著大于多晶，导致单晶出厂后经光衰导致的发电量损失高于多晶，由此带来的发电收益损失高于多晶。初始LID越高，则稳定后组件功率与标称功率差距越大，则组件发电损失越多，发电收益损失越大。从图1和图2显示，同样辐照量下，无论电池端，还是组件端，单晶较多晶衰减均高1.00%，即单晶比多晶光衰率更高。稳定衰减：单多晶初始光衰的差异是由于硅片性质决定的，而之后的稳定衰减主要根据组件封装材料、工艺决定组件老化速度，所以和是单晶还是多晶的硅片关系不大，稳定衰减方面，单多晶一线品牌都提供线性质保0.7%。2.CTM封装损失CTM(Cell-to-Module)：即从电池到组件的功率封装损失，电池片在封装成为组件的过程中，封装前后发电功率会变化，通常称为C