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解释下列名词或概念（20分）1．非简并半导体 2.本征半导体 3.简并半导体4.直接和间接带隙式半导体5. 高度补偿半导体 6.异质结7.杂质电离能8.施主和受主杂质 9．深能级杂质10．半导体功函数 11．格波12．欧姆接触 13．准费米能级14．光电导增益 15. 光电导灵敏度16. 光生电动势 17.光生伏特效应 18.光电导19. 光电子发射效率(内部,外部)20.消光系数21．少子寿命 22.布里渊区23.小注入条件24.表面势 25.表面反型层26. 表面态27.表面复合速度 28. 表面强反型状态 29. 表面复合率30. 本征吸收 31．平带电压32．重空穴、轻空穴 33. 空穴34. k空间等能面35. 热载流子36. 载流子散射 37. 陷阱中心 38. 复合中心 39．有效质量 40. 状态密度 41. 直接复合与间接复合 42. 本征吸收二、画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有何影响？（20分）二．分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点二、简述杂质在半导体中的作用。（30分）二、分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响(30分)。三．、简述半导体中载流子的主要散射机构四．简述p-n结激光器原理。四、以下p型和mos结构为例,说明的能测得的c-v特性曲线,如果有Na+影响又如何?如何测定平带电压以及如何用实验的方法求出SiO2层中Na+密度。以p型硅MOS结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V特性曲线，说明如何确定平带电压（10分）；若SiO2层中存在Na+离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度（10分）？五．连续性方程。（《半导体物理》刘秉升 课本例题 ）五、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20三、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出空穴的爱因斯坦关系式（30分）有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十K时，已知本征费米能级为Ei，波尔兹量常数为本征载流子浓度n，试确定半导体的费米能级Ei热平衡载流子浓度n。和p。 （30分）试画出理想硅p+-n栅控二极管反向电流IR随栅压VG的变化曲线，说明不同栅压范围内反向电流IR的构成。若SiO2层中存在Na+, 曲线如何变化？若Si-SiO2存在界面态，曲线将如何变化？（30分）简述半导体中可能的光吸收过程（30分）3．如图所示，有一均匀掺杂的n型半导体，在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，产生率为gP，寿命为τP,仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为SP，载流子的扩散长度为LP，试确定非平衡载流子分布。（20分）第　1　页共　2　页哈尔滨工业大学一九九八年硕士研究生考试试题考试科目：半导体物理_____________　　考试科目代码：[ ]适用专业：微电子学与固体电子学___考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。题号一二三四五总 　分分数2010202020１００分解释下列名词或概念（20分）：状态密度（6）表面态复合中心（7）半导体功函数施主与受主杂质 （8）热载流子简并半导体 （9）直接和间接带隙式半导体异质结 （10）准费米能级2．画出零偏、正偏和反偏下，p-n结的能带图。（10分）3．如图所示，有一均匀掺杂的n型半导体，在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，产生率为gP，寿命为τP,仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为SP，载流子的扩散长度为LP，试确定非平衡载流子分布。（20分）4．试画出理想硅p+-n栅控二极管反向电流IR随栅压VG的变化曲线，说明不同栅压范围内反向电流IR的构成。若SiO2层中存在Na+, 曲线如何变化？若Si-SiO2存在界面态，曲线将如何变化？ （20分）5．如图所示，半导体光敏电阻上表面受到均匀的频率为ν的恒定光照，光功率为Popt(w), 在电阻两端施加恒定偏压，光敏电阻内载流子的平均漂移速度为vd, 设表面反射率为R，吸收系数为α，光敏电阻厚度d1/α,量子产额为β，非平衡载流子寿命为τ，求：(1) 光敏电阻中光生载流子的平均产生率；（5分）(2) 光生电流IP；（5分）（忽略暗电流） 光电导增益 ；(IPh为光生载流子被电极收集一次形成的电流)；（8分）(4) 提高器件增益的有效途径。（2分）（题5图）（题3 图）