扩散前表面处理.pptVIP

硅片扩散前的表面准备 无锡尚德太阳能电力有限公司 (SUNTECH POWER CO., LTD.） 邵爱军 2003年7月 目 录 化学清洗用主要设备的操作规程 （清洗机，甩干机） 概述 化学腐蚀液的配制 工艺过程和工艺条件（操作示范） 各化学清洗液的浓度检测，调整 注意事项 概 述 形成起伏不平的绒面，增加硅片对 太阳光的吸收 去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 硅片表面处理的目的： 概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割 概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层 硅片 机械损伤层（10微米） 概述：金属杂质对电池性能的影响 概述：表面织构化 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 单晶硅片表面反射率 化学腐蚀液的配制 多晶硅片的清洗腐蚀 九槽清洗机 1 2 3 4 5 6 7 8 9 溶液组成 300克/升NaOH 80℃ 纯水 纯水 纯水 40克/升HF 纯水 65克/升HCl 纯水 纯水 喷淋 作用 清除表面油污,去除机械损伤层 清洗硅片表面残留NaOH 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层