《标准工艺——三层多晶硅的表面牺牲层工艺设计手册.docVIP

三层多晶硅表面牺牲层标准工艺 流程介绍及设计规则 TPSMP process overview and design rules（Three-layer Polysilicon Surface Micromachining Process） 北京市颐和园路5号 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室 —————————————————————————————————— Copyright ?2004 by IME－PKU MEMSLAB. All rights reserved. 目 录 1 文件信息 1 1.1 标准工艺名称 1 1.2 文件版本 1 1.3 文件范围 1 1.4 文件目标 1 1.5 内容 1 1.6 订定依据 1 1.7 其他 1 2 设计规则内容 3 2.1 各层薄膜材料 3 2.2 工艺流程说明 4 2.3 版图设计规则 14 2.3.1 定义图层名称 14 2.3.2 规则分类说明 14 2.3.3 各图层最小线宽、最小间距及最大间距等 15 2.3.4 各图层之间的相互关系的规则 16 3 其他事项 18 3.1 其他版图设计注意事项 18 3.2 制版相关事宜 18 3.3 材料特征 18 3.4 其他 18 参考文献 19 文件信息 标准工艺名称 三层多晶硅表面牺牲层工艺，TPSMP（Three－layer Polysilicon Surface Micromachining Process）。 文件版本 α版 文件范围 本文件仅适用于北京大学微电子所MEMS国家重点实验室的三层多晶硅表面牺牲层工艺。 文件目标 为将北大微纳加工国家重点实验室建成一个开放的加工平台的对外开放，根据本实验室的工艺加工能力及表面牺牲层工艺之特点，编定出该文件，供以本实验为加工平台的客户在进行工艺设计时参考。 内容 客户从该文件可以获得以下信息： 工艺流程的介绍； 版图的设计规则； 其他版图设计需注意的事项； 订定依据 本文件中提到的各项规则乃根据三方面考量得出：多数客户的需求；本实验室加工能力；成品率最高。由于表面牺牲层的工艺研究尚在不断进行中，本文件还会不断进行相应的修改。 其他 版图设计完成后，勿必将工艺结构示意图、工艺流程、版图、版图说明一并交本实验室人员审查，审查修改通过后方可由客户或本实验室代为制版；对于未经相关人员审查而擅自制版，造成的流水损失，实验室不予负责； 投片前，请将上述文件的最终版本、按规定明确标识版号的光刻版交付实验室； 版图及文件提交方式： 版图需为GDSii、cif、或tdb格式。 dchazhang@ 4/incoming/外加工 设计规则内容 各层薄膜材料 图2－1、2－2是采用本标准工艺加工的转轴及悬臂梁这两种典型结构的剖面图，选择多晶硅（POLY0）为电气连接层材料，多晶硅(POLY1/POLY2)为结构层材料，PSG为牺牲层材料，氮化硅（NITRIDE）为绝缘层、抗腐蚀层材料，氧化硅（OXIDE）为氮化硅的应力缓冲层，金属层（METAL）用金或铝。表2－1为各层材料的厚度以及加工精度等指标，膜厚是工艺参数为确定值，不作为设计参数提供给客户进行设计。客户只能在2维方向上设计器件尺寸。客户如在厚度上有特殊需求，请与实验室联系确定可行性。 表2－1 材料选择总结 各层材料 厚度(?) 精度 片内均匀性 片间均匀性 SiO2 3000 8％ 3％ 5％ Si3N4 1800 8％ 3％ 5％ POLY0 3000 8％ 3％ 5％ PSG1 20000 8％ 3％ 5％ POLY1 20000 8％ 3％ 5％ PSG2 7000 8％ 3％ 5％ POLY2 20000 8％ 3％ 5％ Cr/Au 300/1500 8％ 3％ 5％ Al（可选） 10000 6％ / / 图2－1 释放前的结构剖面图 图2－2 释放后的结构剖面图 工艺流程说明 下面介绍本标准工艺的工艺流程，采用较为典型的转轴与悬臂梁结构的剖面图来说明工艺流程。 硅片的选择 选用4寸（100mm）片，N型，晶向100，电阻率2～4Ω?cm，电阻率不宜选择较大，否则容易在衬底与二氧化硅界面积累电荷，进而导致衬底和POLY0有电荷穿通现象。 图2－3 裸硅片 氧化硅层制备 采用湿法氧化方法加工得到氧化硅，氧化温度为1000℃。 图2－4 淀积氧化层 氮化硅层制备 氮化硅采用LPCVD方法制备，淀积温度为780℃。 图2－5 淀积氮化硅层 零层多晶硅制备 多晶硅采用LPCVD方法制备，温度610℃。 图2－6 淀积多晶硅层 零层多晶硅掺杂 注入磷31，，剂量5E15，能量80Kev。 图2－7 零层多晶硅掺杂 第一次