04-微波有源器件摘要.ppt

* 等效电路与工作特性曲线 ①等效电路 图2-23表示微波场效应晶体管的结构与等效电路关系。 (a)是结构示意图，(b)是其等效电路，gm表示跨导，cgs、cgd、cds分别表示栅源，栅漏、以及衬垫电容。Rg、Rd、Rs、Rj和Rds分别表示栅、漏、源、本征沟道和输出电阻，Ids表示漏源电流。Lg、Ld和Ls分别表示栅、漏、源电极电感。 图2-23 微波FET结构与等效电路关系 * 等效电路与工作特性曲线 ②工作特性曲线 FET的工作基础是用加在栅源之间的电压（Vgs），改变栅极肖特基势垒的宽度，从而改变漏源电流（Ids）和电压（Vds）。 由此可以得到两组特性曲线： 一组以Vds为参变量的Ids~ Vgs曲线，示于图2-24（a）； 又一组以Vgs为参变量的Ids~ Vds特性曲线示于图2-24（b）。 由两组曲线我们可以看到，当Vgs有很小变化时，Ids有较大变化，这就构成了信号的放大， 实践证明：对任何低噪声放大管Vgs在0.5 ~ –3伏范围，Vds在2到5伏范围； ?功率FET，Vgs在–1到–5伏范围，Vds在5~10伏范围。 图2-24 Lds~ Vgs、Ids~ Vds特性曲线 * FET主要参量 （1）截止频率，定义为：当电流增益为一时的工作频率 显然，增大电子饱和速度vs（即增加电子迁移率）减少栅长L可提高FET管的截止频率。 （2）最大振荡频率（或最大可用增益0dB频率） 式中 显然为增大fmax，应减小栅极、本征体、源极电阻，增加衬垫电阻Rds，同时减小漏栅之间电容。 （3）在频率f时最大可用增益 由上式可以看出，f每增加倍频程，增益降6dB，为了增加Gmax必须提高fT，减小各种电阻以及源长度Ls。 * FET主要参量 （4）单向增量（反向传输为零） （5）最小噪声系数 为了减小管子的噪声，应减小栅、源电阻和提高截止频率。 上面各式中，vs表示饱和速度（1.2?107cm/s在300K，砷化镓），L是栅长，单位?m，Kf?2.5，K1?0.27。 （6）1dB压缩点 表示管子工作的最大线性范围的输入功率，当输出功率偏离线性负1dB时的输入功率或相应输出功率。 上述微波场效应管特性只与管子本身的结构和频率有关，是管子的固有特性，与外电路无关。 由上面的特性显然可以看出我们在电路中选管应根据频率的需要尽量选fT，fmax，Gm大，Fmin小的管子。 * 选择BJT还是FET？ 电路设计时选择BJT还是FET取决于应用。例如在射频接收机前端，噪声系数特别重要，而在其它场合，功率增益和输出功率更重要。显然对于接收机前端，增益和噪声都重要。陆上微波通信，应用抛物面天线，与天线直接的第一级放大器就用低噪声放大器，图2-25给出各类器件噪声系数，可作为选择低噪声放大管的依据。 图2-25 噪声系数与频率关系 * 选择BJT还是FET？ 注意，增益有三种定义：最大可得增益（Maximum allowable gain, Gmax），最佳噪声系数时增益（gain at optimum noise figure, GNF）以及插入增益（insertion gain）。Gmax一般在电路共轭匹配时得到。GNF与Gmax一般不等。图2-26给出SiGe HBT功率、功率附加效率、增益与输入功率关系，因此选择器件满足增益指标时，注意所用增益的定义。 33 29 25 21 17 13 9 5 70 60 50 40 30 20 10 0 Output power (dBm) PAE (%) 048121620 Input power (dBm) 图2-26 * * 接收、发送系统通常由滤波器、低噪声放大器、功率放大器、振荡器、倍频器、混频器以及开关电路、功率合成与分配电路等基本的射频与微波电路模块组成。 组成这些模块的更基本单元就是各类有源器件与无源器件。 初次进行射频与微波电路设计，感到最难入手的就是有源器件的选择。 选择有源器件要考虑的因素很多，首先要满足收发机对诸如振荡器、放大器、混频器等基本模块的指标要求，还要考虑可用技术与实现成本。 如何选择有源器件没有固定的程式。经验，对有源器件资料的掌握，对整个收、发系统指标的理解是选择有源器件的重要依据。 射频与微波电路常用的有源器件可分为两类，即二极管类型和三极管类型。 微波二极管： 作混频与检波用的肖特基表面势垒二极管（简称肖特基二极管）， 作振荡器用的甘氏二有管（Gunn diode） 作控制电路用的PIN二极管。 微波晶体管： 双极晶体管（Bipolar Transistors） 场效应晶体管（Field-effect Transistors） 有源器件的选择对射频与微波电路设计极其重要 * 肖特基表面势垒及其