06集成电路版图基础-电容摘要.pptVIP

电容器: 存储电荷的器件。 单位：法拉（F） 片上电容在fF - pF量级 两块导电材料中间存在绝缘介质就会形成电容 平行板电容器 滤波 隔直流通交流 二、MOS集成电路中的电容器 平板电容器的电容表示式： C = εoεox/toxWL =C0WL εo、εox、tox由材料性质以及绝缘层的厚度决定，绝缘层越薄单位电容越大。 式中W和L是平板电容器的宽度和长度，二者的乘积即为电容器的面积。 1、MIM电容 下极板 上极板 MIM （金属-绝缘层-金属电容） 多晶-绝缘层-多晶电容 4 叠层电容器 MOM 利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。 5 金属-多晶硅-扩散区电容 理想平板电容器的电场线是直线，但实际情况下，在靠近边缘地方的会发生弯曲，越靠近边缘，弯曲越严重。称为极板边缘效应。 极板边缘处的电场分布不均匀，造成电容的边缘效应，这相当于在电容里并联了一个附加电容。 由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，极板边缘效应更加明显 为了减小边缘电容的影响，版图设计中尽量不拆分电容 交叠电容 边缘电容 V=LΔI/Δt 集成电路中电感只有几个nH，低于100MHz，没什么用处，低频模拟电路不使用电感，用于GHz的射频电路中。 键合线电感直径25um，长度1mm，圆环直径1mm的电感值为5.6nH。 集成电路中采用平面电感 圆形、八边形和方形 螺旋电感 键合线电感 涡流，电感产生的交变电磁场在附近的导体中产生循环电流，这些涡流会消耗磁场能量。用串联的电阻描述， 采用轻掺杂硅衬底，可以减小损耗，磁场可以深入硅数um， RS电感寄生电阻，趋肤效应，寄生电阻增大 衬底电阻 与频率相关，一般Q值随频率增加，衬底电阻 1 使用高电阻率衬底 2 采用最高金属层制作 3可以使用多层金属并联 4 未使用的金属原理电感 5 避免金属线过宽或过窄10-15um 6尽可能窄的线圈间距 7线圈内部不要填满 8不要在电感上下增加金属，如增加可分成小块 9连接线短而直