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第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体的结构的特点 特点：金刚石结构,最近邻原子间距2.35A 空间利用率34% 硅晶体是由两套面心立方格子沿对角线位移四分之一长度套构而成的 硅晶体的晶格是复式晶格;因为晶格中有两种不等价原子 硅晶体中不同的晶向和晶面上的原子排列情况是不同的,不同的排列对器件的制造有着重要的影响 1.2 硅晶体中的缺陷和杂质 1.2.1 点缺陷 点缺陷：间隙原子、空位、肖特基缺陷 1.2.2 线缺陷 线缺陷：刃位错、螺位错 1.2.3 面缺陷和体缺陷 1.2.4 硅中的杂质 施主杂质：磷（P） 受主杂质：硼（B） 1.2.5 杂质在硅晶体中的溶解度 杂质在硅中的两种存在方式：填隙式、替位式。 引入杂质缺陷的目的：改变导电特性 1.3 切克劳斯基（CZ）晶体生长方法 1.3.1 晶体生长理论 分凝系数：公式 表1－1 硅中普通杂质的分凝系数 1.3.2 晶体生长规范 单晶体生长方法:悬浮区熔硅 碳对硅质量的影响：高碳含量与击穿电压的降低，及整流二极管漏电流的增加有关，低含碳量仍对漏电性能有影响。 实际生产对硅片质量的要求：直径大，一致性好，在均匀性、掺杂剂、杂质、点缺陷沉淀、清洁表面特性以及测试方法符合规范要求。 1.3.3 杂质和缺陷的考虑 缺陷的优缺点：缺陷可以作为快速扩散杂质的吸除点、源，但这些缺陷一旦遇到器件结构部位将产生严重后果。 氧缺陷去除方法：外表面的机械损伤(外吸除)和体内氧化物颗粒(内吸除) 1 硅中的外吸除:有意识的造成高密度的但较浅的晶格畸变，在器件热过程的前期使应力的弛豫变成层错和位错环，以便提高吸除能力。 2 硅中的内吸除：CMOS工艺中到高含量的衬底，常遇到热施主这就需要进行阈值电压调整。 三段内吸除工艺： 第一阶段:处理温度1100～1200℃,5～10h，整个材料处于均匀状态，氧外扩散到外表面。 第二阶段:低温热处理，750℃、5~30h，形成小核并慢速成长。 第三阶段:1000℃下加热数小时，大核继续生长。 CVD法沉积氮化硅作为坩锅材料，能去除单晶硅中的氧。 1.4 硅的整形 1.4.1 整形加工 1 外圆研磨 2 内圆切片 3 边缘倒角 1.4.1 小结与展望 集成电路的发展对硅片的要求： 1.集成电路的特征尺寸逐渐减小，芯片面积逐渐增大 (1) 微缺陷对芯片的影响增大 (2) 器件参数对单晶硅中杂质和缺陷的 密度，分布特点，电活性等更加敏感 2.为了降低成本，硅圆片的直径越来越大 (1) 硅片电参数径向均匀性问题 (2) 硅片平整度问题 3.集成电路的器件结构越来越趋向硅圆片浅表层 4.集成电路越来越普遍的采用低温工艺 5. 金属和介质薄膜淀积的层次越来越多 * ecnu Electronic Science and Technology Department 第一章 硅晶体结构 图1－3 a）本征硅 b）具有施主杂质磷的N型硅 c）具有受主杂质硼的P型硅 图1－4 间隙式固溶体和替位式固溶体 0.023 0.35 1.25 0.000008 0.0004 0.07 0.8 0.3 0.002 K0 Sb P O Fe Cu C B As AL 杂质 单晶生长机的示意图 1.4.2 腐蚀 1.4.3 抛光 * ecnu Electronic Science and Technology Department 第一章 硅晶体结构