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模擬电路笔记--半导体二极管
半导体二极管及其基本电路
半导体的基本知识
半导体材料
1.半导体:
导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2.常用的半导体材料有:
元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;
化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;
掺杂半导体,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。
3.半导体的特点:
导电能力介于导体与绝缘体之间
受外界光和热的刺激时,导电能力会产生显著变化。
在纯净半导体中,加入微量的杂质,导电能力急剧增强。
半导体的共价键结构
Si、Ge是四价元素,最外层原子轨道上有四个价电子,邻近原子之间由共价键联结,具有晶体结构。
本征半导体、空穴及其导电作用
1.本征半导体:
一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
2.本征激发:
T=0K以上,价电子就会获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚,成为自由电子。
3.空穴:
本征激发价电子成为自由电子后,共价键上留下的空位。
空穴是一个带正电的粒子,其电量与电子相等,符号相反,在外加电场作用下,可以自由地在晶体中运动,和自由电子一样可以参加导电。
邻近价电子就可填补到这个空位上,而在这个电子原来的位置上又留下新的空位,使共价键中出现一定的电荷迁移。空穴的移动方向和电子移动的方向是相反的。
空穴也是一种载流子,这种载流子的运动,是人们根据共价键中出现空穴的移动而虚拟出来的。
本征半导体中的自由电子和空穴数相等。
杂质半导体
1.P型半导体:
在硅(或锗)的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼、铟,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。
P型半导体中多数载流子是空穴,少数载流子是电子(本征激发产生)。
当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下获得能量时,就有可能填补这个空位,使硼原子成为不能移动的负离子,而原来硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,半导体呈中性。
2.N型半导体:
在硅或锗的晶体中掺入五价元素,如磷、砷、锑,它的五个价电子中有四个与周围的硅原子结成共价键,多余的一个价电子在室温下就可以成为自由电子。杂质原子变成带正电荷的离子。由于杂质原子可以提供电子,故称为施主原子。
在N型半导体中多数载流子是电子,空穴为少数载流子。
PN结的形成及其特性
PN结的形成
在同一块半导体中,一边掺杂成N型,另一边掺杂成P型,在N型、P型半导体的交界面上形成PN结。
→ P区和N区载流子多子浓度差引起多子向对方扩散
P区留下了带负电的杂质离子,N区留下了带正电的杂质离子,集中在P和N区交界面附近。
→ 扩散产生空间电荷区(耗尽区)和内电场(从带正电的N区指向带负电的P区)。
→内电场阻止扩散,促使少子漂移,漂移运动使空间电荷区变窄。
→内电场削弱,扩散加强
→扩散与漂移达到动态平衡形成PN结。
接触电位差:PN结空间电荷区的N区的电位要比P区高,其差值用Vo表示。
PN结的单向导电性
1. PN结正偏:
→外加正向电压(P区接正极、N区接负极)
外加电场与PN结内电场方向相反,VF称为正向电压。
P区中的多数载流子空穴向PN结移动,和原来的一部分负离子中和,使P区的空间电荷量减少。
N区电子进入PN结时,中和了部分正离子,使N区的空间电荷量减少。
→空间电荷区变窄,内电场减弱
→扩散大于漂移
→多子扩散形成大的正向电流IF。
当外加电压VF稍有变化(如0.1V),便能引起电流的显著变化。
由少数载流了形成的漂移电流,方向与扩散电流相反,其数值很小,可忽略不计。
图3.2.1 PN结正偏 图3.2.2 PN结反偏
2. PN结反偏
→外加反向电压(P区接负、N区接正)
电场方向与PN结内电场方向相同,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结。
→空间电荷区变宽,内电场增强
多数载流子就很难越过势垒,扩散电流趋近于零。
→漂移大于扩散
→少子漂移形成很小的反向电流IR(一般为微安数量级)
IR几乎与外加电压VR无关。
在一定温度T下,热激发产生的少数载流子数一定,电流值趋于恒定。这时的反向电流IR就是反向饱和电流,用Is表示。Is受温度的影响较大。
PN结的正向电阻很小,反向电阻很大,具有单向导电性。
3. PN结的伏安特性
图3.2-3 半导体二极管的伏安特性
VT为温度的电压当量=kT/q,其中k为波耳兹曼常数(1.38×10–23J/K),T为热力学温度即绝对温度,q为电子电荷(1.6×10–19C),n=1~2,为发射系数,与PN结尺寸、材料和通过的电流有关。在T=300K时,VT≈26mV。
正向当>0,且>VT时,;反向当v
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