晶体三极管描述.ppt

晶体三极管 王雷鸣 2015.12.12 一. 三极管的含义 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 三极管是由两个PN结组成的，基极和发射极之间的PN结为发射结;基极和集电极之间的PN结为集电结。 二. 三极管的工作原理 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE；扩散到基区的自由电子与空穴对的复合运动形成基极电流IB；集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。 从外部来看满足：IE=IC+IB； 在基极补充一个很小的IB，就可以在集电极上得到一个较大的IC，这就是所谓电流放大作用。集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib；称为共射交流电流放大系数。一般近似满足 IC=βIB；IE=（1+β)IB 交流共基极电流放大倍数α满足α =△Ic/△Ie。 对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系：α=β/（1+β）。 放大原理： 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。 三. 三极管工作特性分析 1.输入特性曲线 它是指一定集电极与发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。 UCE=0V时，相当于集电极与发射极短路。 随着UCE增大曲线向右移动，当UCE大于等于1V时曲线如图。 对于确定的UBE，当UCE增大到一定值后，集电结电场足够强，再增大UCE，IC也不会明显增大，IB已基本不变。 2.输出特性曲线 它是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。 一般把三极管的输出特性分为3个工作区域。 ① 截止区 三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点： （a）发射结和集电结均反向偏置；（b）若不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0； （c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。 ② 放大区 图中，输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： （a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置； （b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式： IC=βIB； （c）对NPN型的三极管，有电位关系：UCUBUE； （d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE ≈ 0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE ≈ 0.2V。 ③ 饱和区 三极管工作在饱和状态时具有如下特点： （a）三极管的发射结和集电结均正向偏置； （b）三极管的电流放大能力下降，通常有ICβIB； （c）UCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES 表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V； （d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。 三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 3.温度对三极管特性的影响 三极管也是一种对温度十分敏感的器件，随温度的变化，三极管的性能参数也会改变。 温度升高时，正向特性向左移动，每升高1°C，UBE大约下降2~2.5mV。 当温度从20°C升高至60°C时，集电结电流的变化量△I′ C〉△IC，说明温度升高时β增大。 四.三极管的主要参数 三极管的参数有很多，如电流放大系数、反向电流、耗散