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- 2017-01-14 发布于北京
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7.散射的原因是什么? 1.半导体呈本征型的条件? 2.什么是非简并半导体?什么是简并半导体? 3.n型和p型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式? 4.非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化? 5. 半导体在室温全电离下的电中性条件? 6. 简并半导体形成杂质能带,能带结构有什么变化? 10.多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离 有什么不同? 8.载流子的迁移率和电导率公式? 9.什么是准费米能级? P320, p321 p319 p311 p327 P327, p331 p335 p336 P341 p343 p352 p353 半导体物理 一.思考题 18.在考虑表面态的情况下,怎样形成欧姆接触? 11. 爱因斯坦关系式? 12.什么是p-n结的空间电荷区?自建场是怎样建立起来的? 13.平衡P-N结和非平衡P-N结的能带图? 15.什么是功函数?什么是电子亲和能? 16.金属-半导体接触的四种类型? 17.金属-半导体整流接触特性的定性解释? p366 p370 P371 p376 p377 14. 雪崩击穿和隧道击穿的机理。 P382~p383 p388 p390 p391 p393 试求 时施主的浓度。 1.某掺施主杂质的非简并Si样品, 2.一p型半导体掺杂浓度
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