优·固体与半导体物理思考题与习题(2012年).pptVIP

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  • 2017-01-14 发布于北京
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优·固体与半导体物理思考题与习题(2012年).ppt

7.散射的原因是什么? 1.半导体呈本征型的条件? 2.什么是非简并半导体?什么是简并半导体? 3.n型和p型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式? 4.非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化? 5. 半导体在室温全电离下的电中性条件? 6. 简并半导体形成杂质能带,能带结构有什么变化? 10.多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离 有什么不同? 8.载流子的迁移率和电导率公式? 9.什么是准费米能级? P320, p321 p319 p311 p327 P327, p331 p335 p336 P341 p343 p352 p353 半导体物理 一.思考题 18.在考虑表面态的情况下,怎样形成欧姆接触? 11. 爱因斯坦关系式? 12.什么是p-n结的空间电荷区?自建场是怎样建立起来的? 13.平衡P-N结和非平衡P-N结的能带图? 15.什么是功函数?什么是电子亲和能? 16.金属-半导体接触的四种类型? 17.金属-半导体整流接触特性的定性解释? p366 p370 P371 p376 p377 14. 雪崩击穿和隧道击穿的机理。 P382~p383 p388 p390 p391 p393 试求 时施主的浓度。 1.某掺施主杂质的非简并Si样品, 2.一p型半导体掺杂浓度

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