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发光二极管可以被用于０－９的数字显示，图8-40是一种典型的七段码显示器，通过选择合适的段码，就能够得到希望显示的数字。 图8－40 发光数码管 光敏二极管 光敏二极管是一种光接收器件。它的管壳上有一个玻璃窗口以便接受光照，当光线辐射于PN结时，提高了半导体的导电性，在反偏电压作用下产生反向电流。反向电流随光照强度的增加而上升。其主要特点是反向电流与照度成正比。 _ + 图8-41是一个光电耦合电路，一个光耦合器由一个LED、一个光二极管或光电三极管组成。光耦合器在电路中常用来隔离两个电路。也被称为“光电隔离”，在图8-41中用于联结输入电路和输出电路的就只有光。因此在电气上是互相隔离的。 图8－41 光耦合电路 8 半导体和结型二极管 8.1 半导体的基础知识 8.2 PN结 8.3 半导体二极管 8-1 导体和绝缘体 导体：电阻率 绝缘体：电阻率 8-2 半导体 电阻率 本征半导体 完全纯净 的具有晶体 结构的半导 体称为本征 半导体 。它 具有共价键 结构。 锗和硅的原子结构 单晶硅中的共价键结构 价电子 硅原子 上页 下页 返回 纯硅晶体 无定形、多晶、单晶 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。 在常温下自由电子和空穴的形成 复合 自由电子 本征 激发 第8章 上页 下页 返回 空穴 硅原子浓度4.96?1022/cm3，本征载流子浓度6.7?109/cm3 8.1.2 N型半导体和P型半导体 原理图 P 自由电子 结构图 磷原子 正离子 P+ 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷或砷、 锑，则形成N型 半导体。 多余价电子 在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子 第8章 上页 下页 N型半导体 返回 P型半导体 在硅或锗中 掺入三价元素， 如硼或铝、镓， 则形成P型半导 体。 原理图 B B- 硼原子 负离子 空穴 填补空位 结构图 在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 多子 少子 负离子 第8章 上页 下页 返回 N型和P型半导体，掺杂浓度在百万分之一到十亿分之一，仅有微少的带有5个或3个价电子的杂质掺进晶体。） 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。 P 区 N 区 P区的空穴向N区扩散并与电子复合 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 空间电荷区 内电场方向 8.1.3 PN结的形成 第8章 上页 下页 返回 空间电荷区 内电场方向 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。 P区 N区 多子扩散 少子漂移 第8章 上页 下页 返回 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。 内电场阻挡多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。 空间电荷区 内电场方向 P N 多子扩散 少子漂移 结 论 ： 在PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。 第8章 上页 下页 返回 8.1.4 PN结的单向导电性 P区 N区 内电场 外电场 E I 空间电荷区变窄 P区的空穴进入空间电荷区和一部分负离子中和 N区电子进入空间电荷 区和一部分正 离子中和 扩散运动增强，形成较大的正向电流。 第8章 上页 下页 外加正向电压 返回 限流电阻的作用主要是防止过流，过大的电流会毁坏二极管。假如图中的电压值是6V ，电阻值是1kΩ，则： I= =6mA 若知道二极管的管压降，可以得到精确的电流值。 I= =5.4mA 通常情况下，硅二极管导通后的管压降为0.6V。 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 空间电荷区变宽 内电场 外电场 少子越过PN结形成很小的反向电流 IR E 第8章 上页 下页 外加反向电压 N区 P区 返回 由上述分析可知： PN结具有单向导电性 即在PN结上加正向电压时，PN结 电阻很低，正向电流较大。（PN结处 于导通状态） 加反向电压时，PN结电阻很高，反 向电流很小。（PN结处于截止状态） 切记 第8章 上页 下页 返回 二极管的电路符号表示单向导电性 8.2 半导体二极管 8.2.1 基本结构 图8－24 二级管的封装形式 表示符号 面接触型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 上页 下页 阴极 阳极 D 返回 第8章 上页 下页 返回 几种二极管外观图 小功率二极管 大功