10-第8章光电传感器报告.ppt

低压汞灯：主要应用于医院,餐饮业及纯净水等行业的消毒、杀菌、净化空气 高压汞灯：光效高，寿命长，是道路照明的首选光源，能在-40℃启动。 高压钠灯：广泛应用于道路照明、隧道照明、建筑物泛光、广场码头照明、植物栽培照明等。 半导体光电效应是半导体束缚电子在吸收光子后产生的电学效应,它是各类光敏器件工作的基本原理. 半导体光电效应分为外光电效应和内光电效应.其中内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 光通量（φ）的定义是：点光源或非点光源在单位时间内所发出的能量,其中可产生视觉者（人能感觉出来的辐射通量）即称为光通量。光通量的单位为流明（简写lm）。 半导体材料中存在着导带和价带，导带上面可以让电子自由运动，而价带上面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导带中去时，从而使导带的电子增加，半导体的电阻率变小。光敏电阻就是基于这个现像工作的。 光敏半导体材料有硅、锗、硫化镉、硫化铅、锑化铟、硒化镉等。光敏电阻的阻值变化与光照波长有关。无极性之分。 2 CCD的工作原理 在P型硅里多数载流子是带正电荷的空穴，少数载流子是电子，当向金属电极加正偏压时，电场能够通过SiO2绝缘层对载流子进行排斥和吸引，于是空穴便会排斥到远离电极处，带负电的电子被吸引到紧靠SiO2层的表面上来。这种现象便形成对电子而言的陷阱，电子一旦进入就不能复出，故称电子势阱。势阱中的电荷称为电荷包。 入射光 阴极K 第一倍增极D1 D2 D3 D4 阳极A R1 R R5 R4 R3 R2 Usc -E K 光电倍增管的优点是放大倍数很高，可达106，线性好，频率特性好，缺点是体积大，需要数百伏至1kv的直流电压供电。 8.3 内光电效应 半导体内的电子吸收光子后不能跃出物体，所产生的光电效应为内光电效应。按工作原理分为光电导效应和光生伏特效应。 1．光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量，引起材料电导率的变化的现象称为光电导效应。 基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带 禁带 导带 价带 Eg 电子能量E hυ≧Eg 　内光电效应器件 8.3.1 光敏电阻 1. 光敏电阻的结构和工作原理 A E 电极 半导体 玻璃底板 RL E I RG 光敏电阻的结构 与电路连接 如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小： 2. 光敏电阻的主要参数和基本特性 （1）暗电阻、暗电流、亮电阻、亮电流、光电流 光敏电阻在未受到光照时的阻值称为暗电阻（1MΩ），此时流过的电流为暗电流。 在受到光照时的电阻称为亮电阻(几KΩ)，此时的电流称为亮电流。 亮电流与暗电流之差为光电流。一般暗电流越大，亮电阻越小，光敏电阻灵敏度越高 （2）光照特性 用于描述光电流与光照强度之间的关系。 多数光敏电阻的光照特性是非线性的。 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 光通量/lm 光电流/mA 光敏电阻的光照特性 （3）光谱特性 光敏电阻材料硫化镉的峰值在可见光区域，硫化铅的峰值在红外区域。故选用时要把元件和光源结合起来考虑。 光敏电阻的光谱特性 0 500 1000 1500 2000 2500 20 40 60 80 100 硫化镉 硫化铊 硫化铅 入射光波长/nm 相对灵敏度/% (4) 伏安特性 所加的电压越高，光电流越大，而且没有饱和的现象。 在给定的电压下，光电流的数值将随光照增强而增大。 0 10 20 30 40 50 50 100 150 200 250 I/ μA U/V 光敏电阻的伏安特性 (5) 温度特性 峰值随温度上升向波长短的方向移动。为了提高灵敏度接收较长波段的红外辐射，可采取制冷措施。 20 40 60 80 100 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 λ/μm 相对灵敏度（%） +20 oC -20 oC 光敏电阻的光谱温度特性 硫化铅 ①　势垒效应（结光电效应） 光照射PN结时，若hv≧Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。 ２．光生伏特效应：在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。 P N ②侧向光电效应 侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时，受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀，电子向未被照射部分扩散，引起