洗磷SOP.ppt解析.ppt

  PSG工序标准作业流程 及注意事项 C1B-C 崔宝花 目录 洗磷插片sop 洗磷下料sop 4. 洗磷称重sop 5. 洗磷安全注意事项 6. 洗磷上料sop 3. 2. 刻蚀、洗磷的工作原理 1. 刻蚀、洗磷的工作原理 1. 刻蚀：扩散时硅片的边缘部分会扩散上磷，这一部分N半导体会使上下电极短路去除边缘PN结，防止上下短路。1、刻蚀不均匀不彻底 Rsh变小、FF变小、逆电流变大。2、过刻 正面导致外观不良和短路电流变小。 洗磷：在扩散过程中硅片表面形成一层含有P的二氧化硅叫做磷硅玻璃，利用HF可以溶解二氧化硅的特性进行去除。 氧化 3Si + 4HNO3 = 3SiO2 + 4NO + 2H2O 2. 去氧化物 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O 3. 生成可溶络合物（HF过量） SiF4 + 2HF = H2SiF6 PSG的组成部分 M1+M2 M3 M5 M4 M6 M7+M8 load unload Edge Isolation Rinse Rinse Rinse+Dry PSG process KOH process 成分:HF+HNO3+DI.W DI.W KOH（40℅） DI.W 49 ℅ 37 ℃ HF DI.W 65 ℅ -68 ℅（10 ℃ ） 洗磷插片sop 2. 目的： 为了规范洗磷工序插片人员的插片方式，使插片方式规范化、统一化，降低碎片率。 适用范围： 电池二车间洗磷工序所有人员准备1、将插片垫放置在插片台上，与插片台的边缘平行，插片垫与插片台的边缘距离10 cm，如图1所示。  10cm 图1 图2 2、将花篮摆放在插片垫上，箭头指向左边，如图1所示。 3、在在制品区拿取一盒硅片及对应流程单放置在花篮的左边，打开承载盒的盒盖并放置于上方确认承载盒开口方向朝右。如图2所示。 4、确认硅片的扩散面朝上后，左手扶住承载盒左侧，右手取2cm厚的片子放到左手中.5、将硅片扩散面朝向左手心竖起，左手大拇指放在硅片的上边缘，中指放在硅片的下边缘，拖住硅片，线痕方向平行于操作台，如图3所示。6、右手大拇指放在硅片靠近身体的一边，中指放在对边，轻轻地掰开硅片，由右至左竖直插入花篮中，必须将硅片放到底部手才可松开。 7、插满一花篮后，将左手中的硅片放回承载盒中（扩散面朝上）。 8、双手抱住花篮开口的两侧，将花篮轻轻水平抬起，放置在插片台上，如图4所示。 图3 图4 检查 插完一整批硅片后，将花篮摆放整齐，确认硅片数量与流程单上的流入数量一致；检查每个花篮中的硅片无重片、扩散面方向一致，如图5所示填写流程单 在流程单上填写工艺编号、机器号、流入时间、流入数、姓名及日期，如有碎片则须填写碎片数及碎片原因（碎片原因：a少片、b掉角、c隐裂、d机械碎片、e其他）。 移至货架 右手抓住花篮上部，左手拖住花篮底部，放入货架，花篮箭头方向朝向自己。如图6所示 图5 图6 洗磷上料sop 3. 目的：为了规范刻蚀洗磷工序上料人员的上料方式，使上料方式规范化、统一化。适用范围：电池公司二车间刻蚀洗磷工序。准备1、货架取料，右手抓住花篮上部（箭头方向），左手托住花篮底部，将花篮提起，如图1所示。2、送至上料台，将花篮与传送带成垂直让底部卡入上料台卡槽，推入3厘米红色检测器上方。（花篮依次从右至左上料）如图2所示。3、五个花篮上料完毕，按下start loading键，上料结束。 图1 图2 洗磷下料sop 4. 目的： 为了规范刻蚀洗磷工序下料人员的下料方式，使下料方式规范化，下料规范化、统一。适用范围： 电池二车间洗磷工序所有人员1、上空花篮 依次将空花篮放到上料台下部的进篮轨道上，推入轨道3 cm（红色检测器上方），按下按钮。如图1所示 2、下料取篮右手握住花篮的右上方，左手托住花篮左边底部。将花篮倾斜150慢慢的从卡槽上取下，如图2所示3、将取下的花篮放入下料货架，如图3所示 图1 图2 图3 洗磷称重sop 5. 目的： 检测硅片腐蚀前后的重量，有效控制腐蚀量，保证质量。 适用范围: 电池二车间洗磷工序所有人员取片1、上料前，将 4（一批）+1(1/4批) 个花篮在货架按照从右到左的顺序依次摆好，保证一批与一篮能区分开，且扩散面面向自己，如图1所示。2、取片时，从最右边两篮依