《精》固体物理 第7章 半导体电子论2.pptVIP

* §7-3 半导体中电子的费米统计分布 根据费米统计定量阐明半导体中的电子和空穴—载流子激发的定量规律。 一、半导体载流子的近似波耳兹曼统计 在金属中，电子处于简并化的状态，费米能级在导带中间，费米能级以下的能级几乎完全为电子填满。而在一般半导体中（杂质不是太多的情况），费米能级位于带隙内，而且距离导带底（ ）或者价带顶（ ）的距离比 大的多，导带电子在导带各能级的分布满足费米分布： 由于 ，则上式近似为： ，即导带中的电子很接近经典的波耳兹曼分布。由于 ，导带能级中的平均电子数很小，这和金属中的简并化情况完全不同。 满带中空穴的分布为： 由于 ，则 。表明空穴能级越低（和费米能级间距越大），出现几率按波耳兹曼统计规律减小。无论是电子还是空穴，基本上按波耳兹曼统计分布，和金属简并情况完全不同。导带能级和满带能级都远离费米能级，所以导带中的电子、价带中的空穴都非常少。 二、 和载流子浓度 将导带底附近的电子和满带顶附近的空穴用有效质量描述，则态密度可以直接引用自由电子的能态密度公式。由于主要集中在导带底和满带顶附近 范围之内，利用导带底和价带顶附近的能态密度有： 则电子和空穴浓度为： 此外， 。表明一个半导体中导带中的电子愈多，空穴愈少；反之亦然。 三、杂质激发 考虑只含一种施主的N型半导体，能级位置 ，施主浓度为 。在足够低的温度下，载流子将主要是施主激发到导带的电子。在这种情况下，导带中电子数目和空的施主能级数目相等。通过计算得到导带中电子数和温度的关系： 低温时： 高温时： ，施主几乎完全电离。在受主 浓度为 的P型半导体Z 中，同样有： ，温度足够低时： 四、本征激发 在足够高的温度下，由满带到导带的电子激发（称为本征激发）将称为主要产生载流子的方式。本征激发的主要特点是在每产生一个电子的同时将产生一个空穴。因此在本征激发为主的情况下， ，其中 为带隙宽度。由于带隙宽度比杂质电离能大的多，因此本征激发随温度上升而激剧变化。 §7-6 PN结 P型半导体和N型半导体接触，在分界面由于载流子浓度不同（类型也不同）而产生相向扩散，形成具有接触电势差及单向导电性能的结，称为PN结。 一、平衡PN结势垒 接触电势差的产生是因为不同金属的费米能级高低的不同，引起电子的流动，在接触面两方形成正负电荷积累，如下图。 接触电势差由下式决定： 。该值使得PN结处形成的空间电荷区的费米能级相等。由于半导体中载流子浓度较低，因此接触电势差是微米量级。 二、PN接的正向注入 当PN结加正向偏压，外加电压使空间电荷区的自建场减弱，打破了漂移运动和扩散运动的相对平衡，在这种情况下，将不断有电子长N型区扩散到P型区，有空穴从P型区扩散到N型区，形成非平衡载流子，这种现象称为PN结的正向注入。由于正向偏压的存在，使得结势垒高度降低。 通过计算可以得到通过PN结的电流密度为： ，其中： 可以看出，结电流和少子浓度成正比，正向偏压增加，电流将很快增长。 三、PN结的反向抽取 当PN结外加反向偏压时，外加电压使空间电荷区中电场增加，载流子的漂移运动超过了扩散运动。这时N型区中的空穴一旦到达空间电荷区边界，就会被电场拉向P区，P区的电子一旦到达空间电荷区边界，也会拉向N区，这种现象称为PN结的反向抽取，它们构成PN结的反向电流。外加的反向偏压，使得势垒高度增加。 反向饱和电流： 。反向饱和电流是在PN 结附近产生而又有机会扩散到空间电荷区边界的少数载流子形成的。在一般情况下，由于P区中的电子，N区中的空穴都是少数载流子，载流子浓度很小，因而反向电流通常是很小的．但是，如果有外界作用，使达到反向PN结空间电荷区边界的少数载流子浓度很高，这些载流子同样可以被空间电荷区的电场拉向对方，形成大的反向电流． *