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温度传感器测量与控制实验

传感器实验报告 ——温度传感器测量与控制实验 学院: 电子工程学院 班级: 学号: 姓名: 一、实验目的: (1) 通过对温度传感器性能的测量, 加深对传感器原理的理解。 (2) 学习ADC0809模/数(A/D)转换器件与微机接口的使用。(下面的2、3步骤由于实验箱的) (3) 学习单片机数据采集原理,并利用温度传感器进行自动控制。 二、实验仪器及器件: 计算机、单片机实验箱、双路稳压电源、示波器、万用表,ADC0809转换器件、运算放大器、电阻、电容、温度计、电烙铁、热敏电阻(1.2K/25(C , 200(/25(C 各一只)。 实验原理: ● 热敏电阻的温度—电阻特性 利用电阻随着温度变化特性制成的传感器叫热电阻传感器。它主要用于对温度和与温度有关的参数进行检测。按电阻的性质来分,可分为金属热电阻和半导体热电阻两大类。半导体热电阻又称热敏电阻。不同材料烧结的热敏电阻其特性也不同。热敏电阻的特性,基本取决于初始电阻R((),热敏电阻B常数(K),热扩散常数K(mW/(C)和热时常数((s)四个常数。热敏电阻大致可分为负温度系数热敏电阻(NTC)、正温度系数热敏电阻(PTC)和临界温度电阻器(CTR)三类。图一是几种热敏电阻的电阻温度特性。 在某一特定的温度值,PTC和CTR的电阻值会发生急剧的变化,因此不能用于宽范围温度的测量,而适于特定温度的检测。负温度系数热敏电阻的温度系数一般为-2~-6%/℃,而开关型则大于10%/℃。 热敏电阻传感器可用于液体、固体、固熔体等方面的温度测量。测量范围一般为-10~300℃,也可以做到-200~10℃和300~1200℃。 ● 热敏电阻V-I特性 热敏电阻为一种温度响应器件, 受外界温度影响而改变其阻值。但由于其电流过大,而使自身发热,也会改变其阻值。因此V-I特性不是一条直线。通过V-I特性的测量可了解器件工作状态、误差。 经常使用电桥作为传感器测量电路,因为电桥能精确地测量电阻的微小变化。图二所示的桥式电路,其输出电压Vo可用VBC与VAC之差表示: Vo = VBC—VAC(反了,应为VAC-VBC) 〈1〉 为使测量前输出Vo=0,即使电桥平衡,应满足: R1×R3 = R2×R4 〈2〉 在满足〈2〉式的条件下,当电桥各个臂电阻变化远小于本身值((RRi),桥的负载电阻无限大时,输出电压可近似用以下公式表示: Vo 如果将热敏电阻接入一臂,如图〈二〉;并且测量前,令R1=R2,R3=R4,则: Vo 在测量过程中,电阻R1,R3,R4都不变化,即(R1=(R3=(R4=0,因此: Vo 为了使电桥测量之前便于调零,可加一小阻值的可变电阻RV, 如图〈三〉所示。 ● 单片机温度采集 热敏电阻作为温度传感器应用时,通常与A/D转换器和计算机连在一起,构成温度采集和控制系统。下面介绍实验中采用的数据采集和控制系统的工作原理和程序设计。检测系统分为四部分,如下框图所示: 1、温度采集部分 : 图〈四〉是温度采集部分的原理图,在图〈四〉中用电桥作T-V转换,热敏电阻Rt为负温度系数型,即R 随t 的升高而将低,Rt在16(C 时为1.67K,为使 t在16(C~80(C之间变化时,输出在0~5V之间,R应等于1.67K,但为保证Va(Vb,R取1.7K,则由〈1〉式得: Va — Vb 〈3〉 由1,分子R1R2-R3R4=R1R3+R2R3-R2R3-R2R4=R3(R1+R2)-R2(R3+R4),除以分子即得3。 LM324:A作的电压放大, 使输出最大(5V。由于前级热敏电阻在温度为16(C~80(C之间变化时,Vab已接近5V。因此,运放放大比例为1:1。LM324:B为低通滤波,本电路中fc为: fc = 1/2( = 1/2( = 5HZ 由于fc为5HZ,电路能滤除5HZ以上交流噪声干扰。 实验中,主要是搭建图(四)温度采集电路图。以下的原理部分只当学习使用,因为后面的实验中我们并没有进行相关的实验。 2、A/D 转换部分 模数转换器A/D用于将传感器输出模拟电压(或电流)信号转换为计算机能接收的数字信号。A/D 转换器采用ADC0809集成芯片,电路连接如图〈五〉所示: ADC0809的内部结构及管脚功能: ADC0809是CMOS数据采集器件,它包括一个8位的逐次逼近型的ADC部分,一个8通道的模拟多路开关和联合寻址逻辑,模数转换分辨率为8位,精度为8

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