模拟电子技术(江晓安)(第三版)第4章剖析.ppt

4. 直流输入电阻RGS  RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。 结型为106 Ω以上, MOS管可达1010Ω以上。  4.3.2 交流参数 　　1. 低频跨导gm 　　此参数用于描述栅、源电压UGS对漏极电流的控制作用。它的定义是当UDS一定时,ID与UGS的变化量之比,即 跨导gm的单位是mA/V。它的值可由转移特性或输出特性求得。在转移特性上工作点Q外切线的斜率即是gm,见图4－13(a)。或由输出特性看,在工作点处作一条垂直于横坐标的直线(表示UDS=常数),在Q点上下取一个较小的栅、源电压变化量ΔUGS,然后从纵坐标上找到相应的漏极电流的变化量ΔID,则gm=ΔID/ΔUGS,见图4－13(b)。 (4-5) 此外,对结型场效应管,可由(4－4)式求导而得 (4－6) 若已知IDSS、UP之值,只需将工作点处的UGS值和IDSS、UP值 代入(4－6)式,既可求得gm值。 图4-13 根据场效应管的特性曲线求gm 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。一般为几个pF。 4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: 这部分功率将转化为热能, 使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。  2.漏、源间击穿电压BUDS 在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。  3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。  对于MOS场效应管, 由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层, 当UGS过高时, 可能将SiO2绝缘层击穿, 使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于PN结击穿, 而和电容器击穿的情况类似, 属于破坏性击穿, 即栅、 源间发生击穿, MOS管立即被损坏。  4.4 场效应管的特点 　　场效应管具有放大作用,可以组成各种放大电路,它与双极性三极管相比,具有如下几个特点: (1) 场效应管是一种电压控制器件, 即通过UGS来控制ID。 (2) 场效应管输入端几乎没有电流, 所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。 (3) 由于场效应管是利用多数载流子导电的, 因此, 与双极性三极管相比, 具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性较好而且存在零温度系数工作点等特性。 (4) 由于场效应管的结构对称, 有时漏极和源极可以互换使用, 而各项指标基本上不受影响, 因此应用时比较方便、 灵活。 (5) 场效应管的制造工艺简单, 有利于大规模集成。 (6) 由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω, 因此, 由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏, 而栅极上的SiO2绝缘层又很薄, 这将在栅极上产生很高的电场强度, 以致引起绝缘层击穿而损坏管子。 (7) 场效应管的跨导较小, 当组成放大电路时, 在相同的负载电阻下, 电压放大倍数比双极型三极管低。 图 4 – 14 场效应管的零温度系数工作点 图 4-15 栅极过压保护电路 4.5 场效应管放大电路 4.5.1 静态工作点与偏置电路 　　由于场效应管种类较多,故对于所采用的偏置电路,其电压极性必须考虑。 　　下面以N沟道为例进行讨论。由于MOS管又分为耗尽型和增强型,故偏置电路也有所区别。结型场效应管只能工作在UGS＜0的区域。图4－16为自给偏压电路,它适用于结型场效应管或耗尽型场效应管。 (4－7) 图 4 – 16 自给偏压电路 1.图解法 首先,由漏极回路写出方程 (4-8) 由此在场效应管的输出特性曲线上作出直流负载线AB,将此直流负载线逐点转到uGS~iD坐标,得到对应直流负载线的转移特性曲线CD,如图4－17所示。再由(4－7)式在uGS~iD坐标系中作另一条直线,两线的交点即为Q点。 图 4 – 17 求自给偏压电路Q点的图解 * 第四章 场效应管放大电路 第四章 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路 4.1