MOSFET的参数讲解[精].pptVIP

簡介 - MOSFET MOSFET INTRODUCTION DC PARAMETER AC PARAMETER POWER RELATED DATA SHEET EXAMPLE MOSFET INTRODUCTION MOSFET INTRODUCTION MOSFET 參數特性-DC PARAMETER DC PARAMETER BVDSS (VDS) LEAKAGE(IDSS) BVGSS (VGS) LEAKAGE(IGSS) ON-RESISTANCE (RDSON) THRESHOLD VOLTAGE (VGS(TH)) FORWARD TRANSCONDUCTANCE (GFS) DIODE FORWARD VOLTAGE (VFSD) DC PARAMETER-BVDSS/IDSS DC PARAMETER-BVGSS/IGSS DC PARAMETER-RDSON DC PARAMETER-VTH DC PARAMETER- GFS/VDS MOSFET 參數特性 - AC PARAMETER AC PARAMETER DYNAMIC CHARACTERISTICS CISS , COSS ,CRSS GATE CHARGE QG/QGS/QGD TURN-ON/OFF DELAY TIME TD (ON) /TD (OFF) RISE / FALL TIME TR /TF AC PARAMETER - CISS , COSS ,CRSS AC PARAMETER- (TD(ON/OFF)T(RISE/FALL)) AC PARAMETER - QG , QGS , QGD AC PARAMETER - QG , QGS , QGD MOSFET 參數特性 – POWER RELATED POWER RELATED POWER DISSAPATION CURRENT RATING MAXIMUM CURRENT REATIHG AVALANCHE POWER RELATED-POWER DISSAPATION POWER RELATED-CURRENT RATING MAXIMUM CURRENT RATING MOSFET 參數特性 – POWER DISSAPATION MOSFET DATA SHEET -CEP(B)02N6 MOSFET DATA SHEET -CEP(B)02N6 MOSFET DATA SHEET -CEP(B)02N6 THANK YOU ! * CET 華 瑞 股 份 有 限 公 司 CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CORP. CET CET CONFIDENTIAL * CET 華 瑞 股 份 有 限 公 司 CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CORP. Chino-Excel Technology Corp. 92, Jian Yi Rd., Chung-Ho City, Taipei Hsien, Taiwan, R.O.C. E-mail: Yeilong_Tsai@ TEL:886-2FAX:886-2 Yei_Long Tsai Product Department POWER MOSFET 參數特性簡介 FOR DATA SHEET POWER MOSFET又稱DMOS(double diffused mos)在發展之前，唯一較高速、適中功率元件只有雙載子功率電晶體(POWER BJT) ，此元件為達至一大電流的應用，因此與傳統MOS不同的是其電流流向為垂直方向流動 。 雖然BJT可達到相當高的電流和耐壓額定，但它相對較高的基極驅動電流卻使周邊的線路設計顯得相當困難，再加上它容易發生二次崩潰，以及負崩潰溫度係數導致很難平行化此元件。基於這種缺點、POWER MOS在70年代發展之後就很的取代了BJT，POWER MOS不但沒有BJT的缺點，且在TURN-OFF也沒有少數載子的存在，使得操作速度可以更快，且具有很大的安全操作範圍，種種優勢