电力电子习题剖析.docVIP

第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在_开关_状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗_。3.电力电子器件组成的系统，一般由_控制电路_、_驱动电路_、_主电路（以电力电子器件为核心）_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。5.电力二极管的工作特性可概括为_不可控器件_。6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止 。9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_大于2-4倍_IH 。10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM_低于_Ubo。11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的_阴极和门极在器件内部并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_放大区_。15.电力MOSFET的通态电阻具有_正_温度系数。（）16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功率集成电路_。18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电流驱动器件_和_电压驱动器件_两类。19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是_负脉冲_。20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_使基极驱动电流不进入放大和饱和区。21.抑制过电压的方法之一是用_储能元件_吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于_小_功率装置的保护 。22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快恢复_型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施，给每只管子并联RC支路是_动态均压_措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用_先串后并_的方法。24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有_负_温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有_正_温度系数。25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管_，属于半控型器件的是_晶闸管_，属于全控型器件的是_绝缘栅双极晶体管（IGBT）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）_；属于单极型电力电子器件的有_电力场效应管（电力MOSFET）_，属于双极型器件的有_电力二极管、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、晶闸管_，属于复合型电力电子器件得有 _绝缘栅双极型晶体管（IGBT）_；在可控的器件中，容量最大的是_门极可关断晶闸管（GTO）_，工作频率最高的是_绝缘栅双极型晶体管（IGBT）_，属于电压驱动的是_电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）_，属于电流驱动的是_电力二极管、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管_。 简答题：26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？ 电力电子器件是指直接用于处理电能的主电路中，能实现电能的变换和控制的电子器件。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，分为电压驱动型和电流驱动型。根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间有效信号的波形，分为脉冲触发型和电平控制型。按照器件内内部电子和空穴两种载流子分为单极性器件、双极型器件和复合型器件。 1.电力电子器件处理电功率的功率大 ，电压电流的的承受能力强；2.因为处理的功率大，为减少损耗，处于开关状态；3.电力电子电路由信息电子控制，需要驱动电路；4.电力电子电路由于功率比较大，需要散热器。 　　27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-2