晶体管原理-1010分解.ppt

第三章 双极结型晶体管 发射区杂质缓变分布,类似有 第三章 双极结型晶体管 2) 基区输运系数 基区渡越时间 第三章 双极结型晶体管 基区输运系数 第三章 双极结型晶体管 影响电流放大系数的一些因素 第三章 双极结型晶体管 俄歇复合增强 第三章 双极结型晶体管 3) 表面复合的影响-- 第三章 双极结型晶体管 3.1.5 双极晶体管的直流电流电压方程 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.23 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 3.1.4 缓变基区晶体管的电流放大系数 -- I.晶体管的直流特性 基区杂质近似为指数分布: 杂质浓度为指数分布时：　　内建电场是与x无关的常数 基区内建电场的形成 空穴浓度的不均匀性导致空穴的扩散,产生电场,类似pn结自建电场的形成,平衡时空穴电流密度为零。 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 2. 基区少子浓度分布 -- I.晶体管的直流特性 少子电流密度 -- I.晶体管的直流特性 平面管集电区杂质均匀分布,有 电流放大系数 1) 发射结注入效率 -- I.晶体管的直流特性 内建电场对少子是加速场,使基区渡越时间大为缩短 　　足够大时 -- I.晶体管的直流特性 提高晶体管电流放大系数的主要措施: 3) 电流放大系数 -- I.晶体管的直流特性 势垒区复合电流 2) 发射区重掺杂效应: NB偏低? NE偏高? 发射区禁带变窄 重掺杂时,杂质能级互相靠近形成能带,并与导带交叠,使Eg变窄. 1) 发射结势垒区复合的影响-小电流效应 -- I.晶体管的直流特性 轻掺杂时,非平衡载流子主要通过复合中心进行复合;在重掺杂时,俄歇复合大为增强. 发射区重掺杂的另一个影响--基区陷落效应 -- I.晶体管的直流特性 5) 基区宽变效应 4) 温度的影响 改进：LEC晶体管、HBT -- I.晶体管的直流特性 1. 集电结短路时的电流 VBC=0, VBE≠0 * IES相当于单独一个发射结构成的PN结二极管的反向饱和电流 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.23 * * * *