厚膜[精选].doc

半导体基本工艺步骤：氧化，刻蚀，离子注入，金属镀膜 一晶体生长 直拉法（CZ法）熔硅引晶收颈放肩等径生长收晶 优点：所生长单晶的直径较大成本相对较低;通过热场调整及晶转，埚转等工艺参数的优化，可较好控制 电阻率径向均匀性 缺点：石英坩埚内壁被熔硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧碳杂质，不易生长高电阻率单晶。 切片、磨片、抛光 二实验室净化及硅片清洗 三道防线:环境净化（clean room）硅片清洗（wafer cleaning）吸杂（gettering） 颗粒粘附污染颗粒来源：空气人体设备化学品、金属的玷污、有机物的玷污、硅片清洗 有机物/光刻胶的两种清除方法：把光刻胶分解为CO2＋H2O（适合于几乎所有有机物） 氧等离子体干法刻蚀：把光刻胶分解为气态CO2＋H2O（适用于大多数高分子膜） 清洗设备：超声清洗、喷雾清洗 清洗方法：湿法清洗、干法清洗工艺 RCA——标准清洗 SC-1可以氧化有机膜和金属形成络合物缓慢溶解原始氧化层，并再氧化——可以去NH4OH对硅有腐蚀作用。SC-2可以将碱金属离子及Al3＋、Fe3＋和Mg2＋在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物可以进一步去除残留的重金属污染（如Au） RCA与超声波振动共同作用，可以有更好的去颗粒作用20～50kHz 或 1MHz左右。 （平行于硅片表面的声压波使粒子浸润，然后溶液扩散入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子。） 三光刻Photolithography 目的：暂时地涂层光刻胶在硅片上，转移设计图案到光刻胶，决定最小的特征尺寸 光刻的应用： 主要应用：IC电路图形制作 其他应用：电路板印制、商标印制、金属印制等 光刻的步骤： 1气相成底模2旋转涂胶3软烘4对准和曝光5曝光后烘焙6显影7坚膜烘焙8显影检查 洁净室，曝光装置，掩膜，光刻胶（正性负性），图形转移， 曝光设备性能取决于：分辨率，对准精度，生产效率 光学曝光方法：遮蔽式，投影式 四刻蚀 什么是图形转移技术？图形转移＝光刻＋刻蚀 刻蚀的两个关键问题？选择性方向性 两类刻蚀方法：湿法刻蚀——化学溶液中进行反应腐蚀，选择性好。干法刻蚀——气相化学腐蚀（选择性好）或物理腐蚀（方向性好），或二者兼而有之 刻蚀过程包括三个步骤：反应物质量输运到要被刻蚀的表面，在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应，反应产物从表面向外扩散的过程 五掺杂分为热扩散和离子注入 热扩散 杂质扩散一般是把半导体晶片放入精确控制的高温石英管炉中，并通以含有待扩散杂质的混合气体而完成的。硅常用的温度范围为800℃-1200℃，砷化镓为600℃-1000℃。扩散进入半导体的杂质原子数目与混合气体中的杂质分压有关。 设备： 离子注入 离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对Si，电压≥105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。 离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。硅热氧化工艺硅(Si)与含有氧化物质的气体，例如水汽和氧气在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)薄膜。硅热氧化工艺，按所用的氧化气氛可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化的为大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。—器件；多晶硅—栅电极；SiO2—互连介质；Si3N4—钝化。 什么是CVD？描述它的工艺过程。化学气相淀积：反应剂被激活后在衬底表面发生化学反应成膜。1)主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面；2)反应剂被吸附在硅片表面；3)反应成核生长；4)副产物挥发。 两类主要的淀积方式 1）化学气相淀积 — Chemical Vapor Deposition (CVD)一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 2）物理气相淀积 — Physical Vapor Deposition (PVD)利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。 外延：在单晶衬底上生长一层新的单晶层，晶向取决于衬底 用到化学气相淀积（CVD）：单晶 (外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜、半导体、介质、