霍尔传感器项目交流报告分析.pptVIP

* 3 .兰吉尔电表（Landis+Gyr??E450 ）磁路设计 Landis+Gyr??E450磁路设计结构为将霍尔芯片嵌入到一个卡槽中，卡槽起到聚磁作用，并且在霍尔芯片的表面有一块金属片起到对芯片的保护作用。可以说Landis+Gyr??E450是Landis+Gyr Domestic磁路设计的升级，结构更加巧妙。具体结构如下图所示： * 前期工作 * 五、市面上的霍尔芯片 5.1 A1326线性度漂移 前期工作 * 5.2 A1326温度特性曲线 市面上霍尔芯片分析 * 5.3 市面典型芯片特性 供应商 传感器参数 燦瑞orient半导体公司(OCH1900) 英飞凌infineon半导体公司(TLE4997) Allegro半导体公司 （A1326） Allegro半导体公司 （A1363） SIEMENS TD-3511 用霍尔传感器（燦瑞测） 工作电压（ 4.5-6 4.5-5.5 3-5.5 4.5-5.5 3-5.5 线性度 5% 0.6% 1.5% 0.5% 1.63% 温漂 1000ppm/℃ 1000ppm/℃ 300ppm/℃ 2% 1.88% 灵敏度 1.4 300mv/mT 2.5mv/G 1.5/3.2/6.8/14.5 1.4mv/G 失调电压 4mV/℃ - 3.5mV (VPP) 6.3mV (VPP) - 工作温度℃) -40-125 -40-125 -40-150 -40-150 -40-75 测量范围 -1400-1400G -200G-200G 0.22G-940G 0.2-336.9G -1700G-1700G 价格（美元） 0.1 3 0.1 - - 注：温漂为各芯片在整个温度范围内的温度漂移误差。表格中所选芯片型号均为各供应商结合要求推荐的芯片。 对于线性霍尔传感器，如要求检测0.05A~60A电流，需要霍尔传感器达到1:1200的动态检测范围，而目前市面上的线性霍尔传感器无法达到此动态范围；并且线性霍尔芯片的线性度以及温漂都不太理想。因此使用线性霍尔无法满足电能表计量要求。 市面上霍尔芯片分析 * 六、霍尔传感器磁路设计 如上图所示，在检测过程中由于电流产生的磁场强度比较小，传统式霍尔传感器在使用中必须和聚磁环配合使用。 6.1 传统霍尔传感器磁路设计 * 前期工作 * 6.2 采用DRV411进行闭环设计消除失调电压及漂移 通过采用DRV411可以将霍尔传感器失调电压降至uV级，但是 聚磁环模块设计较复杂。 前期工作 * 6.3 电流式霍尔传感器工作示意图（ACS770） 测量电流时由于电流是从芯片引脚流入，不需要加聚磁设计，但是其本身抗磁干扰能力不是很好，因此需要进行抗磁干扰磁路设计，如上图右所示。 前期工作 * 6.4 平面式（IMC）霍尔传感器 平面式霍尔传感器工作示意图 * 前期工作 * 七、 新型霍尔传感器芯片特性 供应商 传感器参数 英飞凌infineon半导体公司(TLI4970) Allegro半导体公司 （ACS709) Allegro半导体公司 （ACS770) 迈来芯MelexisMLX91208 工作电压（V) 3.1-3.5 3-5.5 4.5-5.5 4.5-5.5 线性度 1% 0.75% 1% 0.5% 温漂 1% 3% 48ppm/℃ 100ppm/℃ 灵敏度 12.5(mA/LSB) 28mV/A 20mV/A 50-100、100-700mv/mT 失调电压/电流 20mA 25mV 10mV 10mV 工作温度(℃) -40-85 -40-150 -40-150 -40-150 测量范围 -50A-50A -37.5A-37.5A -200A-200A -200G-200G 过流保护 - √ √ - 价格（美元） 1 0.8 1.5 1 * 前期工作 * 7.1 ACS770线性度曲线 前期工作 * 7.2 ACS770温度特性曲线 前期工作 * 7.3 MLX91208线性度曲线图 由上图可知在±100A范围内非线