@第1章 常用半导体器件2011.ppt

《模拟电子技术基础》（第四版）教学课件天津工业大学  联系地址：天津工业大学 电气工程与自动化学院 邮政编码：300160 电子信箱：chenhongyan@tjpu.edu.cn 联系电话五、学习方法与考核 G D S P+ N iS iD P+ P+ VDD VGG uGS 0,uGD = UGS(off), ,沟道变窄预夹断 uGS 0 ,uGD uGS(off),夹断，iD几乎不变 G D S iS iD P+ VDD VGG P+ P+ (1) 改变 uGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极 　基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 (c) (d) 3.当uGD uGS(off),时， , uGS 对漏极电流iD的控制作用 场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。 场效应管为电压控制元件(VCCS)。 在uGD ＝ uGS －uDS uGS(off),当uDS为一常量时，对应于确定的uGS ，就有确定的iD。 gm=?iD/?uGS (单位mS) 小结 (1)在uGD ＝ uGS －uDS uGS(off)情况下, 即当uDS uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ，d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2)当uDS使uGD ＝ uGS(off)时，d-s之间预夹断 (3)当uDS使uGD uGS(off)时， iD几乎仅仅决定于uGS ， 　而与uDS 无关。此时， 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 二、结型场效应管的特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O uGS iD IDSS UGS(off) 图 1.4.6　转移特性 uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UGS(off) ，iD ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 　特性曲线测试电路 + ? mA 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 2. 输出特性曲线 　　当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ IDSS/V iD/mA uDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。 图 1.4.5(b)　漏极特性 输出特性（漏极特性）曲线 夹断区 UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 图 1.4.5(a)特性曲线测试电路 + ? mA 击穿区 ＊　结型P 沟道的特性曲线 S G D 转移特性曲线 iD UGS（Off） IDSS O uGS 输出特性曲线 iD UGS= 0V + uDS + + o 栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。 1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图 1.4.7　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 2.工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B G S D 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS