第03章体内失效机理.docVIP

体内失效机理 1* 二次击穿 一．热电破坏引起器件二次击穿 半导体器件的体内失效中，热电破坏是最主要得失效形式之一。热电破坏是器件因温度升高而引起的器件参数退化或烧毁。最典型的例子是高反压器件和高功率器件的“二次击穿”。二次击穿是体内失效，它是导致功率管突然烧毁和早期失效的主要原因。 （一）二次击穿概述 二次击穿是指器件被偏置在某一特殊工作点时，电压突然下跌，电流突然上升（出现负阻）的物理现象。二次击穿（简称SB）现象不仅在双极功率管中存在，而且在点接触二极管/CMOS集成电路以及各种体效应器件中也同样存在。如果器件无限流装置或保护措施，一旦发生二次击穿，器件会立即烧毁。只不过不同器件对二次击穿的敏感性不同，其中功率器件和CMOS集成电路比较敏感。 双极型晶体管的二次击穿现象如图3-1所示。 根据发射结的偏置状态，可以分为正偏二次击穿和反偏二次击穿。图3-1所示曲线有以下特点： 1．三种曲线皆存在一个电压开始跌落的点，这个点称为二次击穿触发点，其功率大小为PSB。在二次击穿触发点停留时间（Τd ）称为二次击穿“延迟时间”。 2．三条曲线中PsbrPsboPsbf，可见反偏二次击穿的功率最小，正偏二次击穿的功率最大。 3．三条曲线进入低压大电流时，其电压极限