半导体器件物理课件-pn结2[精选].ppt

PN结的IV特性 PN结的IV特性 (1)隧道结未加电压时的能带图如右图所示。这时P区价带和n区导带虽然具有相 同能量的量子态，但是n区和p区的费米能级相等，在结的两边，费米能级以下没有空量子态，费米能级以上的量子态没有电子占据， 所以，隧道电流为零，对应于特性曲线上的o点  (2)加一很小的正向电压v，n区能带相对于p区将升高qv，如右图所示，这时结两边能量相等的量子态中，p区价带的费米能级以上有空量子态，而n区导带的费米能级以下有量子态被电子占据，因此n区导带中的电子可能穿过隧道到p区价带中，产生从p区向n区的正向隧道电流，这时对应于特性曲线上的点1 (3)继续增大正向电压，势垒高度不断下降，有更多的电子从n区穿过隧道到p区的空量子态，使隧道电流不断增大。当正向电流增大到Ｉp时，这时P区的费米能级与n区导带底一样高，n区的导带和p区的价带中能量相同的量子态达到最多，n区的导带中的电子可能全部穿过隧道到p区价带中的空量子态去，正向电流达到极大值Ｉp，这时对应于特性曲线的点2. (4)再增大正向电压，势垒高度进一步降低，在结两边能量相同的量子态减少，使n区导带中可能穿过隧道的电子数以及p区价带中可能接受穿过隧道的电子的空量子态均减少，如右图所示，这时隧道电流减小，出现负阻，如特性曲线上的点3  (5)正向偏压增大到vv时，n区导带底和p区价带顶一样高，如右图所示，这时 p区价带和 n区导带中没有能量相同的量子态，因此不能发生隧道穿通，隧道电流应该减少到零，对应于特性曲线上的点4。但实际上在vv时正向电流并不完全为零，而是有一个很小的谷值电流Ｉv.实验证明，谷值电流基本上具有隧道电流的性质。 (6)对硅、锗p-n结来说，正向偏压大 于vv时，一般地扩散电流就开始成 为主要的，这时隧道结和一般p-n结 的正向特性基本一样； (7)加反向偏压时，p区能带相对n区能带升高，如图所示,p区中的价带电子可以穿过隧道到n区导带中，产生反向隧道电流。随着反向偏压的增加，p区价带中可以穿过隧道的电子数大大增加，故反向电流也迅速增加，如特性曲线上的点5所示。  2.10 PN结击穿 8.击穿电压近似估算的通用公式 雪崩击穿时，空间电荷区的最高电场强度（临界电场强度）是一个重要参数，令： ——单边突变结最高电场 ——线性缓变结的最高电场 对于SiPN结利用外加电压和电场强度的关系可以得出 （2-10-16） 雪崩击穿临界电场强度对于分析其它非标准的单边突变结、线性缓变结的击穿特性是很有用处的。 2.10 PN结击穿 9.学习要求 掌握概念： PN结击穿、齐纳击穿、雪崩击穿、电离率、雪崩倍增因子、电离积分 导出雪崩击穿判据和雪崩倍增因子表达式（2-10-9）和（2-10-10） 以硅单边突变结为例掌握计算PN结击穿电压的方法和程序 了解计算PN结击穿电压的通用公式（2-10-15） 雪崩击穿临界电场强度用于分析其它非标准的单边突变结，线性缓变结的击穿特性的物理根据 * * 　　即 x = 0 处的少子浓度由直流分量和交流小信号分量组成，并可得到 x = 0 处少子浓度直流分量和交流小信号分量的边界条件分别为 在ω 不太高的情况下，可以假设在 N 区内任意位置 x 处，pn (x, t) 也由直流分量和交流小信号分量组成，即 将此 pn (x, t) 代入空穴扩散方程 并将方程分拆成 不含 和 含 的两个方程，即 解第一个方程可得到 p0 (x) ，代入空穴电流密度方程中，可得到空穴扩散电流密度中的直流分量，即前面已求得的 Jdp 同理，电子扩散电流密度中的直流分量为， 于是可得 PN 结正向扩散电流中的 直流分量 为 解第二个扩散方程 结合少子浓度交流小信号分量的边界条件， 得到 p1(x) ，代入空穴电流密度方程，得到空穴扩散电流密度的交流分量， 同理，电子扩散电流密度的交流分量为 于是可得 PN 结正向扩散电流中的 交流分量 为 式中， PN 结的 小信号交流导纳 为 在　　 的情况下，由近似公式 ，得 式中， 2.8.2 交流导纳与扩散电容 ，就是 PN 结的 扩散电容。 由上式可见，CD 与正向直流偏流成正比，即 ，为 PN 结的 直流增量电导， 对于 P+N 单边突变结， 可见 CD也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 N 区：